[发明专利]成像光学系统有效
申请号: | 201180040678.7 | 申请日: | 2011-08-09 |
公开(公告)号: | CN103080841A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | R.米勒;H-J.曼 | 申请(专利权)人: | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G02B17/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 成像 光学系统 | ||
1.一种用于EUV投射光刻的成像光学系统(12;39;43),
具有多个反射镜(M1-M4、M1-M6),将物平面(5)中的物场(4)成像至像平面(14)中的像场(13),
具有至少为0.3的像侧数值孔径,
具有大于0.40的瞳遮蔽,
其特征在于像场尺寸至少为1mm x10mm。
2.如权利要求1所述的成像光学系统,其特征在于所述多个反射镜正好包含四个反射镜(M1-M4)。
3.如权利要求1或2所述的成像光学系统,其特征在于所述物场(4)与所述像场(13)之间的缩小成像比例至少为4x。
4.如权利要求1至3中的任一项所述的成像光学系统,其特征在于所述像场(13)上的波前误差至多为100mλrms。
5.如权利要求1至4中的任一项所述的成像光学系统,其特征在于具有至少一个中间像平面(40)。
6.一种用于EUV投射光刻的成像光学系统(12;43),
具有正好四个反射镜,将物平面(5)中的物场(4)成像至像平面(14)中的像场(13),
具有至少为0.3的像侧数值孔径,
具有至少为1mm x 10mm的像场尺寸,
具有至多为100mλrms的波前误差。
7.如权利要求1至6中的任一项所述的成像光学系统,其特征在于所述反射镜(M1-M4;M1-M6)中的至少一个的反射表面被构造为自由形状面。
8.如权利要求1至6中的任一项所述的成像光学系统,其特征在于所有所述反射镜(M1-M4;M1-M6)的反射表面被构造为旋转对称面。
9.一种光学系统,
具有根据权利要求1至8中的任一项所述的成像光学系统(12;39;43),
具有照明光学系统(6;22;28;36),将EUV光源(2)的照明光(3)传输至所述物场(4)。
10.如权利要求9所述的光学系统,其特征在于使用具有以下部分的反射镜(M1):在所述物场(4)与所述像场(3)之间的光束路径中引导成像光(3)的成像反射镜部分、以及在所述光源(2)与所述物场(4)之间的光束路径中引导照明光(3)的照明反射镜部分(20)。
11.如权利要求9或10所述的光学系统,其特征在于被构造为使得能够在所述物场(4)中布置透射所述照明光(3)的掩模母版(8)。
12.一种投射曝光系统(1),具有
根据权利要求9至11中的任一项所述的光学系统,
EUV光源(2),
支撑掩模母版的掩模母版支撑件(8a),
支撑晶片(15)的晶片支撑件(15a)。
13.如权利要求12所述的投射曝光系统,其特征在于所述掩模母版支撑件(29a)被构造为接收透射所述照明光(3)的掩模母版(8)。
14.一种用于制造结构组件的方法,包含以下方法步骤:
提供掩模母版(8)及晶片(15),
借助于根据权利要求12或13的投射曝光系统(1),将所述掩模母版(8)上的结构投射至所述晶片(15)的光感层上;以及
在所述晶片(15)上产生微结构或纳米结构。
15.一种根据权利要求14所述的方法制造的结构组件。
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