[发明专利]硅晶片加工液及硅晶片加工方法有效
| 申请号： | 201180040687.6 | 申请日： | 2011-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN103053010A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 北村友彦 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B28D5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 林毅斌;林森 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
1. 硅晶片加工液，其特征在于，所述硅晶片加工液为掺混含有含氮化合物的摩擦调节剂而成的硅晶片加工液，
所述含氮化合物在将与水的质量比(所述含氮化合物/所述水)设为1/99时pH为2以上且8以下。
2. 权利要求1的硅晶片加工液，其特征在于，
所述含氮化合物为杂环化合物。
3. 权利要求2的硅晶片加工液，其特征在于，
所述杂环化合物为苯并三唑、3,4-二氢-3-羟基-4-氧代-1,2,3-苯并三嗪、吲唑、苯并咪唑和它们的衍生物中的至少任一种。
4. 权利要求1~3中任一项的硅晶片加工液，其特征在于，
所述硅晶片加工液的pH为3以上且9以下。
5. 权利要求1~4中任一项的硅晶片加工液，其特征在于，
以加工液总量为基准，所述含氮化合物的含量为0.05质量%以上且10质量%以下。
6. 权利要求1~5中任一项的硅晶片加工液，其特征在于，
以加工液总量为基准，所述硅晶片加工液含有50质量%以上且99.95质量%以下的水。
7. 权利要求1~6中任一项的硅晶片加工液，其特征在于，
在利用固定有磨料颗粒的锯丝的硅晶片加工中使用。
8. 硅晶片加工方法，其特征在于，所述硅晶片加工方法为使用掺混含有含氮化合物的摩擦调节剂而成的硅晶片加工液，利用固定有磨料颗粒的锯丝来加工硅晶片的硅晶片加工方法，
所述含氮化合物在将与水的质量比(所述含氮化合物/所述水)设为1/99时pH为2以上且8以下。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
