[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，具备：

基板；

形成于所述基板上的栅电极；

形成于所述栅电极上的栅极绝缘层；

形成于所述栅电极的上方的所述栅极绝缘层上的结晶硅层；

形成于所述栅极绝缘层上且所述结晶硅层的两侧、膜厚比所述结晶硅层的膜厚薄的非晶硅层；

形成于所述结晶硅层上的沟道保护层；以及

沿着所述沟道保护层的端部的上表面、所述沟道保护层以及所述结晶硅层的侧面以及所述非晶硅层的上表面而形成于所述非晶硅层的一方的上方的源电极以及形成于所述非晶硅层的另一方的上方的漏电极。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，

所述结晶硅层所含的晶体的平均粒径为10nm以上且1μm以下。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，

所述结晶硅层的侧面与所述沟道保护层的侧面在同一平面。

4.一种薄膜晶体管，具备：

基板；

形成于所述基板上的栅电极；

形成于所述栅电极上的栅极绝缘层；

形成于所述栅电极的上方的所述栅极绝缘层上的第1结晶硅层；

形成于所述栅极绝缘层上且所述第1结晶硅层的两侧、膜厚比所述第1结晶硅层的膜厚薄的第2结晶硅层；

形成于所述第1结晶硅层上的沟道保护层；以及

沿着所述沟道保护层的端部的上表面、所述沟道保护层以及所述第1结晶硅层的侧面以及所述第2结晶硅层的上表面而形成于所述第2结晶硅层的一方的上方的源电极以及形成于所述第2结晶硅层的另一方的上方的漏电极；

所述第1结晶硅层所含的晶体的平均粒径比所述第2结晶硅层所含的晶体的平均粒径大。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管，

所述第1结晶硅层所含的晶体的平均粒径为40nm以上且1μm以下；

所述第2结晶硅层所含的晶体的平均粒径为10nm以上且小于40nm。

6.如权利要求4所述的薄膜晶体管，

所述第1结晶硅层的侧面与所述沟道保护层的侧面在同一平面。

7.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：

准备基板的第1工序；

在所述基板上形成栅电极的第2工序；

在所述栅电极上形成栅极绝缘层的第3工序；

在所述栅极绝缘层上形成非晶硅层的第4工序；

在所述非晶硅层上形成沟道保护层的第5工序；

通过对所述非晶硅层以及所述沟道保护层进行加工而形成上层为沟道保护层、下层为非晶硅层的凸部的第6工序；

对所述非晶硅层的所述凸部、所述凸部下方的部分以及所述凸部两侧的部分照射激光，使所述非晶硅层的所述凸部以及所述凸部下方的部分成为结晶硅层，使所述非晶硅层的所述凸部两侧的部分以原来的非晶硅层残留的第7工序；以及

沿着所述沟道保护层的端部的上表面、所述沟道保护层以及所述结晶硅层的侧面以及所述非晶硅层的上表面，在所述非晶硅层的一方的上方形成源电极，在所述非晶硅层的另一方的上方形成漏电极的第8工序；

在所述第7工序中，所述非晶硅层对于所述激光的吸收率中，与所述沟道保护层的下方对应的、所述非晶硅层的所述凸部以及所述凸部下方的部分的吸收率比所述非晶硅层的所述凸部两侧的部分的吸收率大。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管的制造方法，

在所述第7工序中，通过所述激光的照射，形成包含平均粒径为10nm以上且1μm以下的晶体的所述结晶硅层。

9.如权利要求7或8所述的薄膜晶体管的制造方法，

在所述第7工序中，所述激光的波长为473nm以上且561nm以下。