[发明专利]氙气和其他高价值化合物的回收

权利要求书

1.一种从含氙气的工艺流、材料或环境中回收氙气的方法，包括将来自所述工艺流、材料或环境的含氙气体与能有效吸附捕获所述气体的碳吸附剂接触，以去除或降低所述工艺流、材料或环境的所述含氙气体中初始与所述氙气共存的流体物种的浓度，其中该碳吸附剂具有的堆积密度在750至1300kg每立方米(kg/m³)范围内，且大多数孔的孔隙率在5至8埃范围内。

2.权利要求1的方法，其中在所述接触前处理含氙气体以移除所述含氙气体中的一种以上对所述吸附剂有害的组分。

3.权利要求2的方法，其中所述一种以上组分包括二氟化氙和氮气中的至少一种。

4.权利要求2的方法，其中所述一种以上组分包括氮气。

5.权利要求4的方法，其中处理含氙气体以从其中吸附移除氮气，产生氮气减少的气体用于所述接触。

6.权利要求2的方法，其中所述一种以上组分包括二氟化氙。

7.权利要求6的方法，其中处理含氙气体以将所述二氟化氙泠凝至固体形式，产生二氟化氙减少的气体用于所述接触。

8.权利要求1的方法，其中所述碳吸附剂具有的堆积密度在800至1200kg/m³范围内。

9.权利要求8的方法，其中所述碳吸附剂为颗粒形式。

10.权利要求9的方法，其中所述碳吸附剂在流体密封容器中，该流体密封容器被设置用于接收所述含氙气体用于接触。

11.权利要求8的方法，其中所述碳吸附剂为单块体形式。

12.权利要求11的方法，其中所述碳吸附剂在流体密封容器中，该流体密封容器被设置用于接收所述含氙气体用于接触。

13.权利要求8的方法，其中所述碳吸附剂为聚偏二氯乙烯树脂的热解产物。

14.权利要求13的方法，其中在热解后处理所述碳吸附剂以改变其用于吸附氙气的孔隙率。

15.权利要求14的方法，其中通过包括水、蒸汽、渗透气体、高温和高压中的至少一种处理方式，处理所述碳吸附剂以改变其用于吸附氙气的孔隙率。

16.权利要求15的方法，其中所述碳吸附剂为单块体形式。

17.权利要求1的方法，其中所述含氙气体由氙气回收工艺提供，所述氙气回收工艺将来源气体混合物中的氙气由百万分之一水平浓缩至百分之一水平。

18.权利要求1的方法，其中所述含氙气体由使用二氟化氙的半导体制造装置清洁工艺提供。

19.权利要求18的方法，其中所述清洁工艺包括等离子体清洁工艺。

20.权利要求18的方法，其中所述清洁工艺不使用等离子体。

21.权利要求18的方法，其中半导体制造装置包括离子注入装置。

22.一种氙气捕获装置，包括：

密闭容器；

该密闭容器中的碳吸附剂，其中该碳吸附剂对氙气有选择性，且其中该碳吸附剂具有的堆积密度在750至1300kg每立方米(kg/m³)范围内，且大多数孔的孔隙率在5至8埃范围内。

23.权利要求22的氙气捕获装置，其中密闭容器适于含氙气体的流经，使碳吸附剂选择性吸附含氙气体中的氙气，且该容器使所述含氙气体的非氙气组分从其中排出。

24.权利要求22的氙气捕获装置，其中密闭容器适于含氙气体的流入，而不会同时从该密闭容器中排出气体。

25.权利要求22的氙气捕获装置，其中以与含氙气体源呈流动接收的关系配置密闭容器。

26.权利要求25的氙气捕获装置，其中所述含氙气体源包括氙气浓缩单元，该氙气浓缩单元将所述含氙气体的氙气浓度从百万分之一水平提高至百分之一水平。

27.权利要求25的氙气捕获装置，其中所述含氙气体源包括离子注入装置，该离子注入装置配置用于从二氟化氙源接收二氟化氙清洁气体。