[发明专利]图像拾取装置、图像拾取模块和照相机有效
申请号: | 201180040856.6 | 申请日: | 2011-08-05 |
公开(公告)号: | CN103081105A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 长谷川真 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L23/02;H01L23/12 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 康建忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像 拾取 装置 模块 照相机 | ||
1.一种图像拾取装置,包括:
透明部件;
图像拾取元件芯片,包含光电二极管;以及
固定部件,被布置于图像拾取元件芯片周围,空间被透明部件、图像拾取元件芯片和固定部件包围,
其中,图像拾取元件芯片包含半导体基板,并且,半导体基板包含贯通半导体基板的透明部件侧的第一主面和半导体基板的与第一主面相反的第二主面的贯通电极,并且,
在与透明部件正交的正交投影中,贯通电极被布置于与固定部件对应的固定区域中,并且,与在其中半导体基板的厚度比与所述空间对应的第一区域中的半导体基板的厚度小的区域的边界被布置于所述固定区域内。
2.根据权利要求1的图像拾取装置,其中,在与透明部件正交的正交投影中,所述固定区域的一部分被定义为第二区域,并且,在其中布置所述贯通电极的区域被定义为第三区域,并且,
第二区域中的半导体基板的厚度小于等于第一区域中的半导体基板的厚度并且大于第三区域中的半导体基板的厚度。
3.根据权利要求1或2的图像拾取装置,其中,半导体基板是硅基板,并且,透明部件由玻璃或光学塑料制成。
4.根据权利要求1或2的图像拾取装置,其中,
半导体基板是硅基板,
透明部件由玻璃或光学塑料制成,并且,
第三区域中的硅基板的厚度小于等于0.2mm。
5.根据权利要求3或4的图像拾取装置,其中,第一区域中的硅基板的厚度T1以及第二区域中的硅基板的厚度T2与所述空间的纵向宽度W1之间的关系满足式(1):
[数学式1]
T1,T2≥0.009W11.33 (1)。
6.根据权利要求3~5中的任一项的图像拾取装置,其中,图像拾取元件芯片具有与4/3芯片的尺寸对应的尺寸,并且,第一区域中的硅基板的厚度T1和第二区域中的硅基板的厚度T2中的每一个大于等于0.4mm。
7.根据权利要求3~5中的任一项的图像拾取装置,其中,图像拾取元件芯片具有与APS-C芯片的尺寸对应的尺寸,并且,第一区域中的硅基板的厚度T1和第二区域中的硅基板的厚度T2中的每一个大于等于0.6mm。
8.根据权利要求3~7中的任一项的图像拾取装置,其中,在与透明部件正交的正交投影中,第二区域中的硅基板的厚度T2和宽度W2之间的关系满足式(2)和(3):
[数学式2]
W2≥0.3mm (2)
[数学式3]
W2≥2T2+0.2mm (3)。
9.根据权利要求3~5中的任一项的图像拾取装置,其中,图像拾取元件芯片具有与4/3芯片的尺寸对应的尺寸,第二区域中的硅基板的厚度T2大于等于0.4mm,并且,第二区域中的硅基板的宽度W2大于等于1.0mm。
10.根据权利要求3~5中的任一项的图像拾取装置,其中,图像拾取元件芯片具有与APS-C芯片的尺寸对应的尺寸,第二区域中的硅基板的厚度T2大于等于0.6mm,并且,第二区域中的硅基板的宽度W2大于等于1.4mm。
11.根据权利要求3~5中的任一项的图像拾取装置,其中,图像拾取元件芯片具有与1/2.5英寸芯片的尺寸对应的尺寸,第二区域中的硅基板的厚度T2大于等于0.1mm,并且,第二区域中的硅基板的宽度W2大于等于0.4mm。
12.一种图像拾取模块,包括:
根据权利要求1~11中的任一项的图像拾取装置;
被布置于图像拾取装置之上的光学低通滤波器;以及
被固定于图像拾取装置的图像拾取元件芯片并与图像拾取元件芯片电连接的电路板。
13.一种照相机,包括:
根据权利要求1~11中的任一项的图像拾取装置;以及
处理由图像拾取装置获得的信号的信号处理器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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