[发明专利]用于磁性介质图案化的抗蚀剂强化在审
申请号: | 201180041059.X | 申请日: | 2011-07-25 |
公开(公告)号: | CN103069486A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 克里斯托弗·D·本彻;罗曼·古科;史蒂文·维哈维伯克;夏立群;李龙元;马修·D·斯科特奈伊-卡斯特;马丁·A·希尔金;皮特·I·波尔什涅夫 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | G11B5/84 | 分类号: | G11B5/84 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 磁性 介质 图案 抗蚀剂 强化 | ||
1.一种形成图案化磁性衬底的方法,所述方法包含以下步骤:
在衬底的磁性活化表面上形成具有厚部与薄部的图案化抗蚀剂;
在所述图案化抗蚀剂上形成稳定层;
使部分的所述磁性活化表面暴露于通过所述稳定层和所述图案化抗蚀剂的所述薄部的定向能量;以及
改变所述磁性活化表面经暴露的部分的磁性而形成所述图案化磁性衬底。
2.如权利要求1的方法,其中形成所述图案化抗蚀剂的步骤包含以下步骤:进行物理图案化工艺。
3.如权利要求1的方法,其中形成所述稳定层的步骤包含以下步骤:在低于约150℃的温度下,在所述图案化抗蚀剂上沉积含硅层。
4.如权利要求3的方法,其中在所述图案化抗蚀剂上沉积所述含硅层的步骤包含以下步骤:
提供硅前驱物与氧化气体至处理腔室中;
将所述衬底的温度维持低于约150℃;以及
活化所述氧化气体。
5.如权利要求4的方法,其中所述处理腔室为等离子体浸没腔室。
6.如权利要求5的方法,其中所述处理腔室包含远程等离子体源。
7.如权利要求1的方法,其中所述定向能量包含含氟离子。
8.如权利要求1的方法,其中使部分的所述磁性活化表面暴露于通过所述稳定层和所述薄部的定向能量的步骤包含以下步骤:
提供含氟混合气体至处理腔室中,所述处理腔室具有感应等离子体源;
从所述含氟气体产生等离子体;以及
以经选择而穿过所述抗蚀剂的所述薄部、但不穿过所述抗蚀剂的所述厚部的能量,将来自所述等离子体的离子导向所述衬底。
9.如权利要求1的方法,其中使部分的所述磁性活化表面暴露于通过所述稳定层和所述薄部的定向能量的步骤包含以下步骤:
产生含氟离子束;以及
将所述含氟离子束导向所述衬底,其中所述离子束具有经选择而穿过所述抗蚀剂的所述薄部、但不穿过所述抗蚀剂的所述厚部的平均动能。
10.如权利要求1的方法,所述方法进一步包含以下步骤:通过使所述衬底暴露于含氟气体来移除所述稳定层和所述图案化抗蚀剂。
11.一种形成图案化磁性衬底的方法,所述方法包含以下步骤:
在结构衬底上形成磁性活化层;
在所述磁性活化层上形成图案转移层;
利用物理图案化工艺,图案化所述图案转移层;
利用原子层沉积工艺在所述图案转移层上形成共形含硅保护层;以及
使所述衬底暴露于经选择而穿透部分的所述图案转移层的能量,以根据形成于所述图案转移层中的图案,改变所述磁性活化层的磁性。
12.一种具有磁化层的衬底,所述磁化层包含:
多个具有第一磁性值的第一畴;
多个具有第二磁性值的第二畴;以及
介于所述多个第一畴与所述多个第二畴之间的过渡区,所述过渡区的尺寸小于约2nm,其中所述多个第一畴和所述多个第二畴各自的尺寸小于约25nm。
13.一种以一工艺形成的磁性介质衬底,所述工艺包含:
在结构衬底上形成磁性活化层;
形成具有厚部与薄部的图案化抗蚀剂来接触所述磁性活化层;
在所述图案化抗蚀剂上形成共形稳定层;
使部分的所述磁性活化表面暴露于通过所述稳定层和所述图案化抗蚀剂的所述薄部的定向能量;
改变所述磁性活化表面经暴露的部分的磁性而形成图案化磁性衬底;以及
移除所述图案化抗蚀剂和所述稳定层。
14.一种用于处理衬底的设备,所述设备包含:
衬底搬运部,所述衬底搬运部经由一或多个负载锁定腔室耦接至衬底处理部,所述衬底处理部包含等离子体增强原子层沉积(PEALD)腔室和一或多个等离子体浸没腔室,所述等离子体增强原子层沉积(PEALD)腔室和一或多个等离子体浸没腔室耦接至传送腔室,并且所述衬底搬运部包含装载部、传送部、翻转部和界面部。
15.如权利要求14的设备,其中所述衬底处理部还包含等离子体清洁腔室。
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