[发明专利]具有对称馈给结构的基板支架

说明书

技术领域

本发明的实施例大体而言关于基板处理装置。

背景技术

随着器件的关键尺寸持续缩小，原本在大尺寸下可能无关或不太重要的因素在较小尺寸下可变得关键。

发明人已提供在处理基板时可促进改进的处理结果的改进的设备。

发明内容

本文揭示用于处理基板的设备。在一些实施例中，一种基板支架可包括：基板支架，所述基板支架具有用于支撑基板的支撑表面，所述基板支架具有中心轴线；第一电极，所述第一电极安置于所述基板支架内以在将基板安置于所述支撑表面上时将RF功率提供至基板；内部导体，所述内部导体围绕所述第一电极的与支撑表面相对的表面的中心耦接至所述第一电极，其中所述内部导体为管状，且在远离基板支架的支撑表面的方向上平行于中心轴线且围绕中心轴线从第一电极延伸；外部导体，所述外部导体围绕所述内部导体而安置；以及外部介电层，所述外部介电层安置于所述内部导体与所述外部导体之间，所述外部介电层使所述外部导体与所述内部导体电隔离。在一些实施例中，所述外部导体可耦接至电接地。在一些实施例中，DC能量可经由沿中心轴线延伸的第二导体而提供至第二电极。在一些实施例中，AC能量可经由关于中心轴线对称地安置的多个第三导体而提供至一个或多个加热器电极。在一些实施例中，第二导体及第三导体可安置于所述内部导体的轴向开口中。

在一些实施例中，一种等离子体处理设备可包括：处理腔室，所述处理腔室具有内部容积，其中基板支架安置于所述内部容积中，所述基板支架具有支撑表面及中心轴线；第一电极，所述第一电极安置于所述基板支架中以在基板存在于所述基板支架上时将RF功率提供至基板；内部导体，所述内部导体的第一端围绕所述第一电极的背对所述支撑表面的表面的中心而耦接至所述第一电极，其中所述内部导体为管状，并平行于所述中心轴线且围绕所述中心轴线而远离所述第一电极延伸；第一导体，所述第一导体接近于所述内部导体的与所述第一端相对的第二端而耦接至所述内部导体，所述第一导体从所述中心轴线朝向从所述中心轴线离轴安置的RF功率源侧向延伸，所述RF功率源用以将RF功率提供至所述第一电极；外部导体，所述外部导体围绕所述内部导体而安置；以及外部介电层，所述外部介电层安置于所述内部导体与所述外部导体之间，所述外部介电层使所述外部导体与所述内部导体电隔离。

下文描述本发明的其它及进一步的实施例。

附图说明可通过参考在附图中描绘的本发明的说明性实施例来理解上文简要概述且在下文更详细论述的本发明的实施例。然而，应注意，附图仅说明本发明的典型实施例，且因此不应认为限制本发明的范围，因为本发明可容许其它同等有效的实施例。

图1描绘根据本发明的一些实施例的处理腔室的示意性侧视图。

图2描绘根据本发明的一些实施例的基板支架的示意性侧视图。

图3描绘根据本发明的一些实施例的围绕中心轴线布置的多个导体的俯视横截面图。

图4描绘根据本发明的一些实施例的耦接至基板支架的机构的示意性侧视图。

为便于理解，已尽可能使用相同标号来标示各图中共同的相同元件。各图并非是按比例绘制，且可能为清楚起见而加以简化。可预期，一个实施例的元件及特征可有益地并入到其它实施例中而无需进一步叙述。

具体实施方式

本文揭示了用于处理基板的设备。发明人已发现，具有不对称电馈结构以将电功率提供至安置于基板支架中的电极的基板支架可造成处理不均匀性，例如，诸如安置于基板支架顶上的基板上的蚀刻速度及蚀刻尺寸不均匀性。由此，发明人已提供一种对称电馈结构，所述对称电馈结构可并入到基板支架中以有利地改进蚀刻速度及/或蚀刻尺寸均匀性。在一些实施例中，本发明的设备可通过以下操作来有利地减小沿基板表面的电磁偏斜：通过将电功率经由相对于基板支架的中心轴线对称地布置的一个或多个导体传导至基板支架的各组件，及/或通过提供用于限定或均匀地分布电场及/或磁场的一个或多个元件。