[发明专利]互连衬底和电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及一种互连衬底和一种电子设备。 

背景技术

存在这样的问题：在安装电子元件的互连衬底中，由所述电子元件产生的噪声被电连接至电子元件，流向以岛状物形状隔离的平面，因此由于与使用所述噪声源作为振荡源的贴片天线(patch antenna)类似的操作，电磁泄露增加。 

此外类似地，存在这样的问题：在安装电子元件的互连衬底中，狭缝(slit)使用噪声作为振动源，所述狭缝形成在电连接至所述电子元件并且以岛状物形状隔离的平面和与其相邻的平面之间，所述噪声在所述电子元件中产生并且流向以岛状物形状隔离的所述平面，因此由于类似于缝隙天线(slot antenna)的操作而增加了电磁泄露。 

专利文献1的技术公开了在谐振的孤立末端，高频电流变化至波节，电压变化至波腹，以及通过电容将彼此相邻的孤立电源层连接来抑制从所述末端的泄露，并且使高频电流通过所述电容构件。 

专利文献2的技术公开了通过多个具有不同长度或者相对电介质常数的线元来将孤立的电源面和与其相邻的电源层相连、施加电源电压波动、造成噪声泄露到没有通过相移与已隔离的电源层隔离的平面来抑制电磁泄露。 

相关文献 

(专利文献1)日本专利No.3697382的说明书 

(专利文献2)日本未审专利公开No.2008-227366 

发明内容

然而，尽管假定旁路电容器用作专利文献1所公开技术中的部件，以及线元(LILC)用作专利文献2所公开技术中的部件，但是这些部件需要安装，因此有必要提供专用焊盘。出于这个原因，在专利文献1和2的技术中，限制了电路设计。此外，使用上述部件的专利文献1和2所公开的技术对1GHz或者更高的高频噪声影响很小。 

因此，本发明的目的是提供一种单元，所述单元抑制从以岛状物形状分离的平面或者与所述平面相邻的狭缝的电磁泄露，在所述单元中不需要提供专用焊盘，并且所述单元有效防止1GHz或者更高的高频噪声。 

根据本发明，提供了一种包括层叠体(laminated body)的互连衬底，所述层叠体包括电导体和绝缘体，在所述层叠体上方配置电子元件，其中所述层叠体包括第一层，所述第一层具有呈岛状分离的至少一个第一导体；第一连接构件，被掩埋在所述层叠体中，以便将所述电子元件与所述第一导体电连接；第二层，所述第二层具有第三导体，所述第三导体设置为与所述第一导体的至少一部分区域相对，以及第二导体，所述第二导体设置为与所述第一导体和第三导体中的至少一个相对，所述绝缘体的层被插入在所述第二导体与所述第一导体和所述第三导体中的所述至少一个之间，并且其中当以平面图的形式看看所述层叠体时，所述第二导体与所述第一导体的末端之间的距离小于从所述电子元件传播至所述第一导体的噪声的频率处的波长的四分之一的区域处。 

此外，根据本发明，提供了一种电子设备，所述电子设备包括所述互连衬底；以及电子元件，所述电子元件配置在所述互连衬底的所述层叠体上方，所述互连衬底通过所述第一连接构件电连接至所述第一导体。 

根据本发明，可以实现一种单元，所述单元抑制从呈岛状分离的平面或者与所述平面相邻的狭缝的电磁泄露，在所述单元中不需要提供专用焊盘，并且所述单元有效防止1GHz或者更高的高频噪声。 

附图说明

根据下面描述的优选实施例以及下面的附图中使得上述目的、其他目的、特征和优点变得更加清楚。 

图1是阐释了根据本发明第一实施例的互连衬底的顶视图和截面图 的示例。 

图2是阐释了所述第一实施例的C层的示例的图。 

图3是阐释了所述第一实施例的B层的示例的图。 

图4是阐释了所述第一实施例的A层的示例的图。 

图5是阐释了用在第一实施例中的导体元件、第一导体、第二导体和连接构件的形状和位置的图。 

图6是阐释了用在第一实施例中的所述导体元件、所述第一导体、所述第二导体和所述连接构件的形状和位置的图。 

图7是阐释了用在第一实施例中的所述导体元件、所述第一导体、所述第二导体和所述连接构件的形状和位置的图。 

图8是阐释了用在第一实施例中的所述导体元件、所述第一导体、所述第二导体和所述连接构件的形状和位置的图。 

图9是阐释了用在第一实施例中的所述导体元件、所述第一导体、所述第二导体和所述连接构件的形状和位置的图。