[发明专利]具有陶瓷涂布的晶体生长装置及防止晶体生长装置中熔化物质溃决的方法

权利要求书

1.一种晶体生长装置，包含：

腔室；

坩锅，其置于该腔室内，该坩锅配置以至少容置充填料；以及

至少一个加热组件，其用于加热且至少部分熔化该坩锅内的该充填料，以形成熔化物质，

其中，该腔室具有内壁，该内壁具有内表面，该内表面的至少一部分具有防止该熔化物质通过该腔室的该内壁而漏出的陶瓷涂布。

2.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其中，该腔室进一步包含外壁，以及形成在该内壁与该外壁之间的槽。

3.根据权利要求2所述的晶体生长装置，其中，该槽包含冷却介质。

4.根据权利要求3所述的晶体生长装置，其中，该冷却介质为水。

5.根据权利要求2所述的晶体生长装置，其中，该内壁、该外壁、或该内壁及该外壁两者，以钢铁制成。

6.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其中，该陶瓷涂布实质上覆盖位于该腔室的该内壁的整个该内表面。

7.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其中，该陶瓷涂布覆盖该内壁的该内表面，该内表面与该坩锅相邻且位于该坩锅下。

8.根据权利要求1所述的晶体生长装置，进一步包含于该陶瓷涂布与位于该腔室的该内壁的该内表面之间的中介接合层。

9.根据权利要求1所述的晶体生长装置，进一步包含在该陶瓷涂布上的至少一个陶瓷包覆层。

10.根据权利要求1所述的晶体生长装置，进一步包含在该陶瓷涂布上的多个陶瓷包覆层。

11.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其中，该陶瓷涂布为碳化物、氮化物、氧化物、氧化物混合物、碳化物混合物、氮化物混合物、氧化物碳化物混合物、氧化物氮化物混合物、碳化物氧化物混合物或是难熔金属。

12.根据权利要求11所述的晶体生长装置，其中，该陶瓷涂布选自以下所组成的群组：锆酸钙、铝酸镁、氧化锆、锆酸镁、尖晶石以及经钇安定后的氧化锆。

13.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其中，该充填料包含硅原料或是具单晶硅种的硅原料。

14.根据权利要求1所述的晶体生长装置，进一步包含至少一个支承件，该支承件可操作地连接该腔室，该支承件以该陶瓷涂布覆盖。

15.根据权利要求14所述的晶体生长装置，进一步包含在该支承件上的至少一个包覆层。

16.一种防止晶体生长装置内熔化物质溃决的方法，包含下列步骤：

提供一种晶体生长装置，包含腔室，该腔室内设有坩锅，该坩锅至少含有充填料，其中，该腔室具有内壁，该内壁具有内表面，该内表面至少一部分设有陶瓷涂布；

加热且至少部分熔化该坩锅内的该充填料以形成熔化物质；以及

当该坩锅内的该熔化物质从该坩锅漏出时，通过该腔室的该内壁的该内表面上的该陶瓷涂布而容纳漏出的该熔化物质。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，该陶瓷涂布实质上覆盖该腔室的该内壁的整个该内表面。

18.根据权利要求16所述的方法，其中，该陶瓷涂布覆盖该内壁的该内表面，该内表面与该坩锅相邻且在该坩锅下。

19.根据权利要求16所述的方法，进一步包含在该陶瓷涂布与该腔室的该内壁的该内表面之间的中介接合层。

20.根据权利要求16所述的方法，进一步包含在该陶瓷涂布上的至少一个陶瓷包覆层。

21.根据权利要求16所述的方法，进一步包含至少一个支承件，该支承件可操作地连接该腔室，该支承件以该陶瓷涂布覆盖。