[发明专利]损耗调制式硅倏逝波激光器

权利要求书

1.一种损耗调制式半导体激光器件，包括：

位于第一衬底上的绝缘体上半导体（SOI）结构，所述SOI结构包括位于所述SOI结构的半导体层中的波导；和

与所述SOI结构的所述半导体层键合的半导体结构，其中所述SOI结构的所述半导体层中的至少一个区域控制所述半导体激光器件中的光子寿命。

2.根据权利要求1所述的损耗调制式半导体激光器件，其中，所述SOI结构的所述半导体层中的所述至少一个区域为毗邻所述波导的至少一个掺杂区域。

3.根据权利要求2所述的损耗调制式半导体激光器件，其中，毗邻所述波导的所述至少一个掺杂区域为位于所述波导的第一侧面上的n型掺杂区域和位于所述波导的第二侧面上的p型掺杂区域。

4.根据权利要求3所述的损耗调制式半导体激光器件，其中，所述损耗调制式半导体激光器件的光学模驻留在所述半导体层中以及所述半导体结构的至少一部分中。

5.根据权利要求4所述的损耗调制式半导体激光器件，其中，所述n型掺杂区域和所述p型掺杂区域控制所述损耗调制式半导体激光器件的分布损耗。

6.根据权利要求2所述的损耗调制式半导体激光器件，其中，所述至少一个掺杂区域控制所述损耗调制式半导体激光器件的光学腔中的分布损耗。

7.根据权利要求1所述的损耗调制式半导体激光器件，其中，所述SOI结构的所述半导体层中的所述至少一个区域为连接至所述损耗调制式半导体激光器件的增益区域的光反馈线路。

8.根据权利要求7所述的损耗调制式半导体激光器件，还包括调制部，其连接至所述光反馈线路，用于控制对所述损耗调制式半导体激光器件的所述增益区域的光反馈。

9.根据权利要求8所述的损耗调制式半导体激光器件，其中，所述调制部控制所述光反馈线路上的信号的相位和振幅中的至少一个。

10.根据权利要求9所述的损耗调制式半导体激光器件，其中，所述光反馈线路控制所述损耗调制式半导体激光器件的反馈系数，以对所述损耗调制式半导体激光器件进行调制。

11.一种损耗调制式半导体激光器件的制备方法，包括：

在绝缘体上半导体（SOI）结构中形成波导结构和调制结构；

将所述调制结构连接至所述波导结构；并且

将半导体结构键合于所述波导结构；

其中所述调制结构控制所述损耗调制式半导体激光器件的光学腔中的光子寿命。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述调制结构经由光反馈线路与所述波导结构耦合。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述调制结构为所述SOI结构的半导体层中的至少一个掺杂区域。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述调制结构控制所述损耗调制式半导体激光器件的分布损耗和反馈系数中的至少一个。

15.一种半导体激光器，包括：

包含半导体层的绝缘体上半导体（SOI）区域，所述半导体层包括波导区域和调制区域；和

III族-V族（III-V）区域，其键合于所述SOI区域的所述半导体层，其中所述调制区域通过控制所述半导体激光器中的光子寿命来调制所述半导体激光器的输出。

16.根据权利要求15所述的半导体激光器，其中，所述半导体激光器运行于光传输系统中。

17.根据权利要求16所述的半导体激光器，其中，所述调制区域为所述半导体层中的至少一个掺杂区域。

18.根据权利要求17所述的半导体激光器，其中，所述SOI区域的所述半导体层包含硅。

19.根据权利要求16所述的半导体激光器，其中，所述调制区域控制光反馈线路的相位延迟。

20.根据权利要求19所述的半导体激光器，其中，所述调制区域控制所述光反馈线路的振幅。

21.一种半导体激光器件，包括具有光学腔的第一波导结构，其中对所述半导体激光器件的所述光学腔中的损耗进行调制。