[发明专利]热处理玻璃基材的设备和方法

权利要求书

1.一种在熔炉内热处理多个玻璃基材的方法，所述方法包括：

将至少一个间隔件定位在所述多个玻璃基材的成对相邻玻璃基材之间，所述至少一个间隔件包括界定开口内部的封闭外部框部分，且其中一个或多个间隔件的热膨胀系数与所述多个玻璃基材的热膨胀系数之差小于10x10^-7/℃；

将所述多个玻璃基材以大致垂直定向支承在支承平台上，其中所述多个玻璃基材和定位在相邻玻璃基材之间的所述至少一个间隔件用偏置力以接触关系偏置在一起；

在所述熔炉内加热所述多个玻璃基材；

冷却所述多个玻璃基材；以及

其中所述多个玻璃基材冷却后的偏离平面扭曲不超过100μm。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少一个间隔件包括在每对相邻玻璃基材之间以垂直和/或水平阵列布置的多个间隔件。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述多个间隔件中的相邻间隔件在每个相邻间隔件的外侧边缘部分处彼此接触。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述多个玻璃基材加热到高于所述多个玻璃基材的退火点且低于所述多个玻璃基材的软化温度的温度。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述多个玻璃基材加热到高于700℃的温度。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少一个间隔件是玻璃或玻璃陶瓷材料。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述至少一个间隔件是玻璃，且所述间隔件的玻璃具有与所述多个玻璃基材的玻璃成分相同的玻璃成分。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述相邻的玻璃基材和定位在其间的所述至少一个间隔件形成由所述相邻玻璃基材和所述至少一个间隔件界定的封围空间。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个玻璃基材的每个玻璃基材的主表面具有至少5m²的表面面积。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述熔炉包括：

第一侧和第二侧；

第一多个限制销，所述第一多个限制销延伸穿过所述熔炉的第一侧，所述第一多个限制销被刚性保持以防止所述第一多个限制销的运动；

第二多个限制销，所述第二多个限制销延伸穿过所述熔炉的第二侧，所述第二组限制销中的每个限制销沿每个限制销的纵向轴线可移动；以及

其中用所述第二多个限制销对所述多个玻璃基材施加偏置力。

11.一种用于热处理多个玻璃基材的设备，包括：

熔炉，所述熔炉包括外部封围壁、内部封围壁、第一侧和第二侧；

第一多个限制销，所述第一多个限制销延伸穿过所述熔炉的所述第一侧进入由所述熔炉限定的内部容积，所述第一多个限制销被限制成防止销的运动；以及

第二多个限制销，所述第二多个限制销延伸穿过所述熔炉的所述第二侧，所述第二多个限制销中的每个限制销沿所述限制销的纵向轴线可移动，且其中所述第二多个限制销中的每个限制销包括偏置组件以对所述多个玻璃基材施加偏置力。

12.如权利要求11所述的设备，其特征在于，所述内部封围壁是褶皱的。

13.如权利要求11所述的设备，其特征在于，所述第一多个限制销中的每个限制销包括与所述多个玻璃基材中的玻璃基材接触的接触件和联接到所述偏置组件的延伸件，且其中接头可动地连接所述接触件和所述延伸件。

14.如权利要求11所述的设备，其特征在于，所述第二多个限制销中的每个限制销包括与所述多个玻璃基材中的玻璃基材接触的接触件和联接到所述偏置组件的延伸件，且其中接头可动地连接所述接触件和所述延伸件。

15.如权利要求11所述的设备，其特征在于，所述偏置组件包括气动缸体。

16.如权利要求11所述的设备，其特征在于，所述偏置组件包括弹簧。

17.如权利要求11所述的设备，其特征在于，所述第二组限制销的运动被控制成所述第二多个限制销与所述多个玻璃基材中的最外部玻璃基材之间的接触位置在加热期间共面。