[发明专利]用于对多个多层本体进行热处理的装置和方法有效
申请号: | 201180041583.7 | 申请日: | 2011-08-25 |
公开(公告)号: | CN103053008A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | M.菲尔方格;S.约斯特 | 申请(专利权)人: | 法国圣戈班玻璃厂 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/677;H01L21/67 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 杜荔南;刘春元 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 多层 本体 进行 热处理 装置 方法 | ||
1.一种用于在至少一个加热室(HK1)和至少一个冷却室(KK1)中对至少两个相叠布置的工艺层面(3.1,3.2)上的至少两个多层本体(4.1,4.2)进行热处理的装置,所述加热室(HK1)和冷却室(KK1)在传输方向上相继布置,其中加热室(HK1)包括:
—第一工艺层面(3.1),其具有用于至少一个第一多层本体(4.1)的第一工艺框(5.1),所述第一工艺框(5.1)位于第一辐射器阵列(2.1)与第二辐射器阵列(2.2)之间,所述辐射器阵列具有用于加热第一多层本体(4.1)的加热辐射器(9),
—第二工艺层面(3.1),其具有用于至少一个第二多层本体(4.2)的第二工艺框(5.2),所述第二工艺框(5.2)位于第二辐射器阵列(2.2)与第三辐射器阵列(2.3)之间,所述辐射器阵列具有用于加热第二多层本体(4.2)的加热辐射器(9),
其中第一辐射器阵列(2.1)和第二辐射器阵列(2.2)被构造为使得由第一辐射器阵列(2.1)以与第二辐射器阵列(2.2)不同的辐射强度照射第一工艺层面(3.1),和/或其中第二辐射器阵列(2.2)和第三辐射器阵列(2.3)被构造为使得由第二辐射器阵列(2.2)以与第三辐射器阵列(2.3)不同的辐射强度照射第二工艺层面(3.2),并且其中
冷却室(KK1)包括
—冷却装置,
—第一工艺层面(3.1),其用于冷却至少一个第一多层本体(4.1);以及第二工艺层面(3.2),其用于冷却至少一个第二多层本体(4.2)。
2.根据权利要求1所述的装置,其中辐射器阵列(2.1,2.2,2.3)具有电磁辐射的取决于方向的辐射特性和/或不同的辐射功率。
3.根据权利要求2所述的装置,其中加热辐射器(9)具有反射器层(10)。
4.根据权利要求3所述的装置,其中布置在两个工艺层面(3.1,3.2)之间的第二辐射器阵列(2.2)的加热辐射器(9)具有反射器层(10),并且被构造为要么照射第一工艺层面(3.1)要么照射第二工艺层面(3.2)。
5.根据权利要求1所述的装置,其中布置在两个工艺层面(3.1,3.2)之间的第二辐射器阵列(2.2)具有带有加热辐射器(9)的两个加热辐射器层面(9.1,9.2),其中一个加热辐射器层面(9.1)被构造为照射第一工艺层面(3.1)并且另一加热辐射器层面(9.2)被构造为照射第二工艺层面(3.2)。
6.根据权利要求5所述的装置,其中在两个加热辐射器层面(9.1,9.2)之间布置反射器(6.3)。
7.根据权利要求1至6之一所述的装置,其中加热辐射器(6)能够被选择性地操控以生成可变的辐射强度。
8.根据权利要求1至7之一所述的装置,其中辐射器阵列(2.1,2.2,2.3)和工艺层面(3.1,3.2)彼此平行地布置。
9.根据权利要求1至8之一所述的装置,其中冷却装置包括用于冷却多层本体(4.1,4.2)的第一冷却板(7.1)、第二冷却板(7.2)、以及第三冷却板(7.3),其中第一工艺层面(3.1)位于第一冷却板(7.1)与第二冷却板(7.2)之间,并且第二工艺层面(3.2)位于第二冷却板(7.2)与第三冷却板(7.3)之间。
10.根据权利要求1至9之一所述的装置,其中冷却装置具有经引导的气流。
11.根据权利要求1至10之一所述的装置,其中在加热室(HK1)与冷却室(KK1)之间布置闸门(8)或活门。
12.根据权利要求1至11之一所述的装置,其中在加热室(HK1)中和/或在冷却室(KK1)中,至少两个多层本体(4.1,4.2)在传输方向上并排地布置在工艺层面(3.1,3.2)上。
13.根据权利要求1至12之一所述的装置,其中加热室(HK1)包括至少一个第一反射器(6.1)和至少一个第二反射器(6.2),其中第一辐射器阵列(2.1)布置在第一反射器(6.1)与第一工艺层面(3.1)之间,并且第一反射器(6.1)被构造为反射第一辐射器阵列(2.1)的电磁辐射,并且其中第三辐射器阵列(2.3)布置在第二反射器(6.2)与第二工艺层面(3.2)之间,并且第二反射器(6.2)被构造为反射第三辐射器阵列(2.3)的电磁辐射。
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