[发明专利]硅蚀刻液以及使用其的晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种硅蚀刻液，其含有选自氨、二胺以及通式(1)表示的多胺中的至少一种碱性化合物0.1~40重量%，选自通式(2)表示的多元醇中的至少一种5~50重量%，以及水40~94.9重量%，其用于晶体管的制造方法中的由硅形成的虚拟栅的蚀刻，该晶体管的制造方法的特征在于，使用在基板上具有至少层叠高介电材料膜和由硅形成的虚拟栅而成的虚拟栅层叠体、按照覆盖该层叠体的侧面的方式设置的侧壁以及按照覆盖该侧壁的方式设置的层间绝缘膜的结构体，将该虚拟栅替换为铝金属栅，

H₂N-(CH₂CH₂NH)_m-H…(1)

其中，m为2~5的整数，

H-(CH(OH))_n-H…(2)

其中，n为3~6的整数。

2.根据权利要求1所述的硅蚀刻液，其中，二胺和通式(1)表示的多胺为选自乙二胺、1,2-丙二胺、1,3-丙二胺、二乙三胺以及三乙四胺中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的硅蚀刻液，其中，通式(2)表示的多元醇为选自甘油、内消旋赤藓糖醇、木糖醇以及山梨糖醇中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的硅蚀刻液，其中，形成高介电材料膜的高介电材料为HfO₂、HfSiO、HfSiON、HfLaO、HfLaON、HfTiSiON、HfAlSiON、HfZrO或者Al₂O₃。

5.一种晶体管的制造方法，其特征在于，使用在基板上具有至少层叠高介电材料膜和由硅形成的虚拟栅而成的虚拟栅层叠体、按照覆盖该层叠体的侧面的方式设置的侧壁以及按照覆盖该侧壁的方式设置的层间绝缘膜的结构体，具有以下的工序(I)，且将该虚拟栅替换为铝金属栅；

工序(I)：使用含有选自氨、二胺以及通式(1)表示的多胺中的至少一种碱性化合物0.1~40重量%、选自通式(2)表示的多元醇中的至少一种5~50重量%、以及水40~94.9重量%的蚀刻液蚀刻硅的工序，

H₂N-(CH₂CH₂NH)_m-H…(1)

其中，m为2~5的整数，

H-(CH(OH))_n-H…(2)

其中，n为3~6的整数。

6.根据权利要求5所述的晶体管的制造方法，其中，形成高介电材料膜的高介电材料为HfO₂、HfSiO、HfSiON、HfLaO、HfLaON、HfTiSiON、HfAlSiON、HfZrO或者Al₂O₃。

7.根据权利要求5所述的晶体管的制造方法，其中，二胺和通式(1)表示的多胺为选自乙二胺、1,2-丙二胺、1,3-丙二胺、二乙三胺以及三乙四胺中的至少一种。

8.根据权利要求5所述的晶体管的制造方法，其中，通式(2)表示的多元醇为选自甘油、内消旋赤藓糖醇、木糖醇以及山梨糖醇中的至少一种。