[发明专利]用于测试ISFET阵列的方法和装置

权利要求书

1.一种测试化学检测装置的方法，所述化学检测装置包括像素元件阵列，每个像素元件包括化学敏感的晶体管，所述化学敏感的晶体管具有源终端、排出装置终端和浮动栅终端，所述方法包括：

共同地连接一组化学敏感的晶体管的源终端；

在所述组的源终端处施加第一试验电压；

测量由所述第一试验电压在所述排出装置终端处产生的对应的第一电流；

基于所述第一试验电压和电流，计算电阻值；

在所述组的源终端处施加第二试验电压，以在不同运行模式下运行所述组，其中所述第二试验电压至少部分地基于所述电阻值；

测量由所述第二试验电压在所述排出装置终端处产生的对应的第二组电流；和

基于所述化学敏感的晶体管的所述第二试验电压和电流以及运行性能，计算所述组中的每个化学敏感的晶体管的浮动栅电压。

2.根据权利要求1所述的方法，其中每个化学敏感的晶体管是离子敏感的场效应晶体管(ISFET)。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述组包括所述阵列中的所有化学敏感的晶体管。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述组包括所述阵列的交替行。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述组包括所述阵列的交替列。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一试验电压顺序地施加在所述阵列的不同侧。

7.根据权利要求1所述的方法，其另外包括：用所述第二试验电压施加试验电流。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二试验电压顺序地施加在所述阵列的不同侧，且其中关于所述阵列的每侧计算所述浮动栅电压。

9.根据权利要求8所述的方法，其中计算的浮动栅电压关于所有侧一起取平均值。

10.根据权利要求2所述的方法，其中没有流体样品与所述阵列中的任意浮动栅终端接触或邻近。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述化学敏感的晶体管的不同运行模式包括三极管模式和饱和模式之一。

12.一种化学敏感的晶体管阵列的干试验方法，所述化学敏感的晶体管具有源、排出装置和浮动栅，所述方法包括：

将第一试验电压施加于公共源连接的化学敏感的晶体管的组；

基于由所述第一组试验电压产生的第一试验电压和电流，计算电阻；

施加第二试验电压，其中所述第二试验电压驱动所述化学敏感的晶体管在多个运行模式之间转变，且其中所述第二试验电压部分地基于计算的电阻；

计算每个驱动的化学敏感的晶体管的浮动栅电压；和

确定每个计算的浮动栅电压是否在预定的阈值内。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述化学敏感的晶体管是ISFET。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述公共源连接的组是整个阵列。

15.根据权利要求12所述的方法，其中所述公共源连接的组包括所述阵列的交替行。

16.根据权利要求12所述的方法，其中所述公共源连接的组包括所述阵列的交替列。

17.根据权利要求12所述的方法，其中所述多个运行模式包括三极管模式和饱和模式。

18.一种装置，其包括：

化学检测元件阵列，每个元件包括：

化学敏感的场效应晶体管，所述化学敏感的场效应晶体管具有半导体主体终端、源终端、排出装置终端和浮动栅终端；和

测试电路，所述测试电路包括：

在所述阵列的每侧处的多个驱动电压终端，所述多个驱动电压终端与多个源终端和多个主体终端联接；

电流源，所述电流源与所述阵列中的至少一个元件的所述排出装置终端联接，以通过将排出装置电流转化成对应的电压测量值来测量排出装置电流。

19.根据权利要求18所述的装置，其中所述化学敏感的晶体管是ISFET。

20.根据权利要求18所述的装置，其中所述测试电路构造成驱动所述化学敏感的场效应晶体管以在不同模式下运行。

21.根据权利要求20所述的装置，其中所述不同模式包括三极管模式和饱和模式。