[发明专利]用于就地校准温度计的方法和设备

权利要求书

1.一种用于就地校准温度计的设备，

其中所述设备具有用于确定温度（T）的温度传感器（S），

其特征在于，

设置有用于校准所述温度传感器（S）的基准元件（K），

其中所述基准元件（K）至少部分地包括铁电材料（D），所述铁电材料（D）在关于校准所述温度传感器（S）的温度范围中在至少一个预定温度（T_Ph）下经历相变。

2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，

所述铁电材料（D）为固体。

3.根据权利要求1或2所述的设备，其特征在于，

所述铁电材料（D）具有晶体结构；并且

所述铁电材料（D）的晶体结构在所述相变中改变。

4.根据权利要求1、2或3所述的设备，其特征在于，

所述铁电材料（D）的体积在所述相变中改变。

5.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，

所述铁电材料（D）具有在所述相变中改变的电气特性或介电特性。

6.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，

所述铁电材料（D）的相变，尤其是所述电气特性或介电特性的改变，在至少一个预定温度值（T_Ph）下突然发生。

7.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，

所述基准元件（K）包括具有电介质的电容器元件，其中所述铁电材料（D）至少部分地包括所述电容器元件的电介质。

8.根据前述权利要求1至6中任一项所述的设备，其特征在于，

所述铁电材料（D）用作用于温度传感器（S）的基板。

9.根据前述权利要求所述的设备，其特征在于，

所述载体基板的铁电材料从铁电状态到顺电状态或者从顺电状态到铁电状态和/或在不同晶体结构之间的相变，在至少一个预定温度下发生。

10.根据权利要求8或9所述的设备，其特征在于，

所述铁电材料（D）用作用于在薄膜技术或厚膜技术中制造的电阻元件的基板。

11.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，

所述预定温度为相变温度；并且

所述铁电材料掺杂有杂质原子，尤其是以便影响所述相变温度和/或晶畴的形成。

12.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，

所述铁电材料掺杂有二价碱土离子和/或过渡金属离子，尤其是用于均匀晶畴的形成。

13.根据前述权利要求所述的设备，其特征在于，

在所述铁电材料中掺杂的二价碱土离子和/或过渡金属离子少于所述铁电材料的1%。

14.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，

所述铁电材料掺杂有锶、铅和/或钛酸盐，尤其是以便影响所述相变温度。

15.根据前述权利要求所述的设备，其特征在于，

所述铁电材料中掺杂的锶、铅和/或钛酸盐高达所述铁电材料的80%。

16.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，

用于使所述铁电材料极化的电压被施加到所述铁电材料。

17.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，

用于使所述载体基板极化的电压被施加到所述基板，尤其是通过包括两个电极的电容器装置而被施加到所述基板，所述基板布置在所述两个电极之间。

18.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，

所述温度传感器（S）和所述基准元件（K）布置在单个传感器头部中。

19.一种用于就地校准温度计的方法，

其中温度传感器（S）用于确定温度（T），

其特征在于，

使用基准元件（K）来校准；

其中所述基准元件（K）至少部分地包括铁电材料（D）；并且

使用所述铁电材料（D）在至少一个预定温度（T_Ph）下的相变来校准所述温度传感器（S）。