[发明专利]LCL高功率合成器有效
申请号: | 201180042373.X | 申请日: | 2011-09-06 |
公开(公告)号: | CN103403958A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 克里斯托弗·迈克尔·欧文 | 申请(专利权)人: | MKS仪器有限公司 |
主分类号: | H01P5/12 | 分类号: | H01P5/12;H03F3/60;H03F3/68;H01B9/04 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 康泉;宋志强 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | lcl 功率 合成器 | ||
1.一种合成器,包括:
N个同轴电缆,每个同轴电缆被配置为与N个射频功率放大器的各自输出端连接,其中N是大于1的整数,并且其中所述N个同轴电缆中的每个同轴电缆被配置为从所述N个射频功率放大器中各自的射频功率放大器接收放大的射频信号;
板,包括多个电容,并且被配置为与所述N个同轴电缆中的每个同轴电缆连接并合成所述放大的射频信号,其中所述N个同轴电缆和所述多个电容提供N个电感和电容组合;以及
连接器,被配置为将所述板的输出端连接至负载。
2.根据权利要求1所述的合成器,其中所述N个同轴电缆包括:
第一同轴电缆,被配置为与所述N个射频功率放大器中的第一射频功率放大器的第一输出端连接;以及
第二同轴电缆,被配置为与所述N个射频功率放大器中的第二射频功率放大器的第二输出端连接。
3.根据权利要求2所述的合成器,其中所述N个同轴电缆进一步包括:
第三同轴电缆,被配置为与所述N个射频功率放大器中的第三射频功率放大器的第三输出端连接。
4.根据权利要求1所述的合成器,其中
所述N个同轴电缆中的每个同轴电缆与所述多个电容中的各自的电容连接,以提供所述N个电感和电容组合之一;并且
所述多个电容中的每个电容连接在所述N个同轴电缆和电压基准之间。
5.根据权利要求1所述的合成器,其中所述N个同轴电缆中的每个同轴电缆的输入阻抗与所述N个射频功率放大器之一的输出阻抗相匹配。
6.根据权利要求1所述的合成器,其中所述合成器在所述连接器处的输出阻抗与所述负载的输入阻抗相匹配。
7.根据权利要求1所述的合成器,其中所述N个电感和电容组合是相对于彼此并联的。
8.根据权利要求7所述的合成器,其中
所述N个射频功率放大器中的每个射频功率放大器的输出阻抗大于所述N个电感和电容组合中的每个电感和电容组合的输出阻抗;并且
所述N个射频功率放大器中的每个射频功率放大器的输出阻抗等于所述合成器的总输出阻抗。
9.根据权利要求1所述的合成器,其中所述N个同轴电缆中的每个同轴电缆包括:
与同轴连接器连接的护套部,其中所述同轴连接器被配置为与所述N个射频功率放大器之一连接;
屏蔽部,被配置为与电压基准连接;
具有电感的非屏蔽部;以及
与所述板连接的芯部。
10.根据权利要求9所述的合成器,其中
所述护套部包括护套;
所述屏蔽部包括屏蔽套并且不包括所述护套,其中所述屏蔽套被配置为通过夹具与所述电压基准连接;
所述非屏蔽部包括介电绝缘体并且不包括所述护套和所述屏蔽套;并且
所述芯部包括导线并且不包括所述护套、所述屏蔽套和所述介电绝缘体。
11.根据权利要求10所述的合成器,其中
所述介电绝缘体被布置在所述护套部和所述屏蔽部内在芯部和所述屏蔽套之间;并且
所述屏蔽套被布置在所述护套部内在所述介电绝缘体和所述护套之间。
12.根据权利要求9所述的合成器,其中每个所述非屏蔽部的电感与所述非屏蔽部的长度直接相关。
13.根据权利要求9所述的合成器,其中所述非屏蔽部中的第一非屏蔽部的第一电感等于所述非屏蔽部中的第二非屏蔽部的第二电感。
14.根据权利要求1所述的合成器,其中所述N个同轴电缆在增益和相位上是彼此匹配的,并且同样地分担向所述负载供应的功率。
15.一种功率发生器系统,包括:
输入放大器,被配置为接收射频信号并产生调节信号;
分离器,被配置为将所述调节信号分离成多个射频信号;
N个射频功率放大器,被配置为放大所述多个射频信号以产生放大的射频信号;以及
根据权利要求1所述的合成器。
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