[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法以及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及有源矩阵基板及其制造方法以及显示装置。

背景技术

一般地，液晶显示装置具有形成有多个TFT（Thin-Film Transistor：薄膜晶体管）的作为有源矩阵基板的TFT基板、与其相对的相对基板、以及设置于TFT基板和相对基板之间的液晶层。另外，在TFT基板和相对基板之间设置有用于将该TFT基板和相对基板彼此粘合并且封入液晶层的密封部件。

另外，在液晶显示装置中形成有配置多个像素来进行显示的显示区域和设置于其周围的非显示区域。上述密封部件配置于非显示区域。

TFT基板具有形成有上述TFT等的玻璃基板。在玻璃基板上形成有覆盖TFT的层间绝缘膜，在其表面形成有包括ITO（Indium Tin Oxide：铟锡氧化物）的像素电极。层间绝缘膜是由例如具有感光性的丙烯酸类树脂等有机绝缘膜形成的。

在专利文献1中公开了：为了提高密封部件与TFT基板的粘合强度，在形成密封部件的区域中除去包括有机绝缘膜的层间绝缘膜，使构成该TFT基板的玻璃基板或者无机绝缘膜（钝化膜、栅极绝缘膜等）露出。

另外，在专利文献2中公开了：如图53所示，在TFT基板100中，在覆盖TFT105和信号线107的外涂膜109的平坦的表面，设置比信号线107与TFT105的漏极电极103重叠的区域稍大的区域重叠的保护膜110，并且由与像素电极104相同的材料（ITO）形成该保护膜110。由此，即使外涂膜109存在缺陷，该缺陷下的信号线107也不产生断线。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开平10-186381号公报

专利文献2：特开2000-171832号公报

发明内容

发明要解决的问题

此外，已知在TFT基板的非显示区域中形成规定的标记。该标记例如是用于TFT基板与相对基板的对准的标记、用于测定TFT基板与相对基板的偏差量的标记以及用于测定截断玻璃基板时的截断线的偏差量的标记等。上述标记能由与栅极配线相同的材料形成。

另一方面，近年来，非显示区域的缩小化在推进，在TFT基板的非显示区域中，密封部件占有的比例在变高。因此，希望将上述标记与密封部件重叠地配置。

但是，若如上述专利文献1所公开的那样，在以提高密封部件与TFT基板的粘合强度为目的而配置密封部件的区域中除去层间绝缘膜，则标记不被层间绝缘膜覆盖，而仅被例如栅极绝缘膜和半导体层等覆盖。因此，如果栅极绝缘膜等产生针孔、裂缝，则在蚀刻覆盖该栅极绝缘膜等的像素电极材料时，存在蚀刻剂透过栅极绝缘膜等的可能。其结果是，存在标记被蚀刻剂蚀刻，该标记缺损或消失的问题。

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，将非显示区域缩小，并且防止设置于非显示区域的标记的缺损。

用于解决问题的方案

为了达成上述的目的，本发明的有源矩阵基板以隔着框状的密封部件粘合到相对基板从而构成显示装置的有源矩阵基板为对象。上述显示装置具有：显示区域，其设置于密封区域的内侧，该密封区域是设置上述密封部件的框状的区域；以及边框状的非显示区域，其形成于该显示区域的外侧，包含上述密封区域。

并且，具备：绝缘性基板；电极层，其形成于上述显示区域中的上述绝缘性基板上；标记，其配置于上述非显示区域中的上述绝缘性基板上，由与上述电极层相同的材料形成；第1绝缘膜，其将上述电极层和标记分别覆盖；以及第2绝缘膜，其覆盖该第1绝缘膜的一部分，在上述密封区域的至少一部分中从上述绝缘性基板上除去了上述第2绝缘膜，上述标记配置于除去了上述第2绝缘膜的区域，并且以与上述密封区域的至少一部分重叠的方式设置，在上述绝缘性基板上形成有将覆盖上述标记的第1绝缘膜的侧面和该第1绝缘膜的与绝缘性基板相反一侧的表面覆盖的保护膜。

另外，本发明的有源矩阵基板的制造方法以制造隔着框状的密封部件粘合到相对基板从而构成显示装置的有源矩阵基板的方法为对象。上述显示装置具有：显示区域，其设置于密封区域的内侧，该密封区域是设置上述密封部件的框状的区域；以及边框状的非显示区域，其形成于该显示区域的外侧，包含上述密封区域。