[发明专利]阴极体、荧光管、以及阴极体的制造方法

权利要求书

1.一种阴极体，其特征在于，其具有：

基体；

设置在所述基体的表面的具有SiC的阻挡层；

形成在所述阻挡层的表面的具有稀土元素的硼化物的膜。

2.根据权利要求1所述的阴极体，其特征在于，所述基体是钨、钼、硅，或者是含有选自由La₂O₃、ThO₂和Y₂O₃组成的组中的至少一种的钨或钼。

3.根据权利要求1或2所述的阴极体，其特征在于，所述稀土元素的硼化物包含选自由LaB₄、LaB₆、YbB₆、GaB₆、CeB₆组成的组中的至少一种硼化物。

4.根据权利要求3所述的阴极体，其特征在于，所选择的至少一种所述稀土元素的硼化物是LaB₆。

5.根据权利要求4所述的阴极体，其特征在于，所述基体是钨、或者是含有以体积比计为4~6%的La₂O₃的钨。

6.一种荧光管，其使用了权利要求1~5中任一项所述的阴极体作为阴极。

7.一种阴极体的制造方法，其特征在于，其具有：

工序（a），在基体表面形成具有SiC的阻挡层；以及

工序（b），在所述阻挡层上形成具有稀土元素的硼化物的膜。

8.根据权利要求7所述的阴极体的制造方法，其特征在于，所述工序（a）是采用CVD或溅射在基体的表面上形成所述阻挡层的工序。

9.根据权利要求7或8所述的阴极体的制造方法，其特征在于，所述工序（b）是采用溅射在所述阻挡层上形成LaB₆膜的工序。

10.根据权利要求7~9中任一项所述的阴极体的制造方法，其特征在于，所述基体是钨、钼、硅、含有4~6重量%的氧化镧的钨或钼。