[发明专利]差动电路

说明书

技术领域

本发明涉及具有将输入电压与基准电压（参考电压）进行比较的差动对的差动电路。

背景技术

图1表示现有的振荡电路的一个例子的电路结构图。图1中，恒流电路101在一端连接电源Vdd，在另一端连接p沟道MOS晶体管M101、M103的源极。MOS晶体管M101的漏极连接到n沟道MOS晶体管M102的漏极，MOS晶体管M102的源极连接到电源Vss。此外，MOS晶体管M103的漏极连接到n沟道MOS晶体管M104的漏极，MOS晶体管M104的源极连接到电源Vss。

MOS晶体管M101、M102的漏极连接到电容器C101的一端并且连接到比较器102的非反相输入端子，电容器C101的另一端连接到电源Vss。MOS晶体管M101、M102的栅极连接到RS触发器（flip-flop）104的Q端子。

此外，MOS晶体管M103、M104的漏极连接到电容器C102的一端并且连接到比较器103的非反相输入端子，电容器C102的另一端连接到电源Vss。MOS晶体管M103、M104的栅极连接到RS触发器104的QB端子。

比较器102、103的反相输入端子连接到恒压电路105的一端从而被施加基准电压Vth，恒压电路105的另一端连接到电源Vss。比较器102将电流输入端子连接到恒流电路106的一端，从而被供给工作电流，恒流电路106的另一端连接到电源Vss。比较器102生成在电容器C101的电压超过了基准电压Vth时为高电平、当电容器C101的电压在基准电压Vth以下时为低电平的输出信号，并将其供给到触发器104的置位（set）端子S。

比较器103将电流输入端子连接到恒流电路107的一端，从而被供给工作电流，恒流电路107的另一端连接到电源Vss。比较器103生成在电容器C102的电压超过了基准电压Vth时为高电平、当电容器C102的电压在基准电压Vth以下时为低电平的输出信号，并将其供给到触发器104的复位（reset）端子R。

触发器104在置位端子S被供给高电平信号时使Q端子输出为高电平，使QB端子输出为低电平。此外，触发器104在复位端子R被供给高电平信号时使Q端子输出为低电平，使QB端子输出为高电平。触发器104的Q端子输出和QB端子输出中的一方或双方作为振荡信号而被输出。

<动作>

触发器104的Q端子输出为低电平（图2（E））时MOS晶体管M101导通、MOS晶体管M102截止，由此电容器C101充电（图2（A）），同时QB端子输出为高电平（图2（F））时MOS晶体管M103截止、MOS晶体管M104导通，由此电容器C102放电（图2（C））。然后，当电容器C101的电压超过基准电压Vth时比较器102的输出为高电平（图2（B）），触发器104被置位，Q端子输出为高电平，QB端子输出为低电平。

此时，MOS晶体管M101截止，MOS晶体管M102导通，电容器C101放电，同时QB端子输出为低电平，MOS晶体管M103导通，MOS晶体管M104截止，由此电容器C102充电。然后，当电容器C102的电压超过基准电压Vth时比较器103的输出为高电平（图2（D）），触发器104被复位，Q端子输出为低电平，QB端子输出为高电平。

此外，还已知有使用如下元件构成振荡电路的技术（例如参照专利文献1），所述元件包括：放大器，其根据第一、第二输入信号的高低生成电容器的充放电电流；分别比较电容器的端子电压Va与上限电压Vth1、下限电压Vth2的两个比较器；通过两个比较器的各输出信号而被复位/置位的触发器；以及根据控制信号向两个比较器中某一个供给驱动电流的开关。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本公开专利公报第2009-159344号

发明内容

发明要解决的课题

然而，在以现有的差动电路结构来实现将多个输入电压与同一基准电压进行比较的电路时，如图1的比较器102、103那样，不得不设有多个差动电路。于是，会存在与差动电路相同数量的基准电压输入部（图1的情况下，为比较器102、103的反相输入端子部），所以导致电路规模变大。

因此，本发明的目的在于提供一种差动电路，其能够容易地实现将多个输入电压与同一基准电压进行比较的电路的小面积化。

用于解决课题的手段

为了实现上述目的，本发明涉及的差动电路，其特征在于，具有：

第一输入部，其输入第一输入电压；

第二输入部，其输入第二输入电压；