[发明专利]半导体器件的制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，所述方法包括如下步骤：

在形成有多晶硅图案的基底上形成绝缘层使得多晶硅图案露出；

相对于绝缘层，在所述露出的多晶硅图案上选择性地形成硅晶种层；

在形成有所述硅晶种层的所述基底上形成金属层；以及

通过对形成有所述金属层的所述基底进行热处理，形成金属硅化物层。

2.权利要求1的半导体器件的制备方法，其特征在于，还包括如下步骤：

在形成所述硅晶种层的步骤之前，用含有氢基的溶液对形成有所述绝缘层的基底进行预处理。

3.权利要求2的半导体器件的制备方法，其特征在于，

在所述进行预处理的步骤中，将氢原子键合在露出于所述基底上的绝缘层和多晶硅图案上。

4.权利要求2的半导体器件的制备方法，其特征在于，

所述含有氢基的溶液为选自HF、稀释的氢氟酸(DHF)、缓冲的氧化物刻蚀剂(BOE)溶液中的一种或多种溶液。

5.权利要求1的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述绝缘层的步骤包括如下步骤：

在基底上形成多晶硅图案；

在所述基底上形成绝缘材料以覆盖所述多晶硅图案；以及

移除部分所述绝缘材料以使所述多晶硅图案露出。

6.权利要求1的半导体器件的制备方法，其特征在于，

在形成所述硅晶种层的步骤中，向装载有所述基底的腔室内部提供选自SiH₄、Si₂H₆、Si₃H₈和Si₄H₁₀中的一种或多种原料气。

7.权利要求6的半导体器件的制备方法，其特征在于，

在形成所述硅晶种层的步骤中，将所述基底保持在500℃至650℃的温度。

8.权利要求6的半导体器件的制备方法，其特征在于，

在形成所述硅晶种层的步骤中，所述腔室内部的压力保持为5Torr至20Torr。

9.权利要求1的半导体器件的制备方法，其特征在于，

所述金属层为选自Ti、Co和Ni中的一种或多种金属。

10.权利要求1的半导体器件的制备方法，其特征在于，还包括如下步骤：

在形成所述金属硅化物层的步骤之后，移除残留的金属层。

11.权利要求3的半导体器件的制备方法，其特征在于，

所述绝缘层由氧化物或氮化物形成。

12.权利要求10的半导体器件的制备方法，其特征在于，

在形成所述硅晶种层的步骤中，在键合在所述绝缘层和多晶硅图案上的氢原子中，用硅原子选择性地仅取代键合在所述多晶硅上的氢原子。

13.权利要求12的半导体器件的制备方法，其特征在于，

在形成所述硅晶种层的步骤中，通过利用氢和氧或氢和氮、与氢和硅之间的键能之差，在所述露出的多晶硅图案上选择性地形成所述硅晶种层。