[发明专利]蓝宝石基板的蚀刻方法

权利要求书

1.一种蓝宝石基板的蚀刻方法，其在半导体发光元件所用的蓝宝石基板上形成光刻胶图案，照射波长为400nm以下的紫外线后，以该光刻胶图案为掩模进行干式蚀刻，

该蓝宝石基板的蚀刻方法具备以下步骤：

预烘烤步骤，在涂布光刻胶后、照射紫外线之前，以较该紫外线的照射时更高的温度对该蓝宝石基板进行加热；

后烘烤步骤，在照射紫外线后，以较预烘烤步骤更高的温度对该蓝宝石基板进行加热；以及

蚀刻步骤，在该后烘烤步骤后，以该光刻胶图案为掩模进行干式蚀刻，藉此在该蓝宝石基板上形成多个侧壁相对于该蓝宝石基板表面的角度为90°以下的凸部。

2.根据权利要求1所述的蓝宝石基板的蚀刻方法，其中，在蚀刻步骤中，形成多个侧壁相对于蓝宝石基板表面的角度未达90°的圆锥台或圆锥状的凸部。

3.根据权利要求1或2所述的蓝宝石基板的蚀刻方法，其中，紫外线照射时的温度为室温～100℃，预烘烤步骤的加热温度为120～130℃。

4.根据权利要求1到3的任一项所述的蓝宝石基板的蚀刻方法，其中，后烘烤步骤的加热温度高于干式蚀刻步骤中的蓝宝石基板的表面温度。

5.根据权利要求1到4的任一项所述的蓝宝石基板的蚀刻方法，其中，后烘烤步骤的加热温度为200℃以上。

6.根据权利要求1到5的任一项所述的蓝宝石基板的蚀刻方法，其中，在照射紫外线后、后烘烤步骤之前，使蓝宝石基板回到室温。