[发明专利]吡唑并喹啉化合物有效

专利信息
申请号: 201180043183.X 申请日: 2011-09-07
公开(公告)号: CN103097383A 公开(公告)日: 2013-05-08
发明(设计)人: 贝泽弘行;山本博文;上条一纪;杉田麻梨;濑尾龙志;山本哲;鹈饲厚志 申请(专利权)人: 安斯泰来制药株式会社
主分类号: C07D471/04 分类号: C07D471/04;A61K31/4738;A61K31/496;A61K31/4985;A61K31/5377;A61P13/00;A61P13/02;C07D519/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 王海川;穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 吡唑 喹啉 化合物
【权利要求书】:

1.一种式(I)的化合物或其盐,

式中,

R1和R2中的一个为氢、卤素、卤代低级烷基或者各自可以被取代的低级烷基、-O-低级烷基或环烷基,另一个为式(II)的基团,

R3为各自可以被取代的低级烷基、环烷基或饱和杂环,

R4、R5和R6相同或不同,为氢或低级烷基,

Ra和Rb相同或不同,为氢或者各自可以被取代的低级烷基、环烷基、芳基或杂环,或者

Ra和Rb可以与相邻的氮原子成为一体而形成各自可以被取代的单环式含氮杂环或多环式含氮杂环。

2.一种式(I-1)的化合物或其盐,

式中,

R11和R21中的一个为氢、卤素或者各自可以被取代的低级烷基、-O-低级烷基或环烷基,另一个为式(II-1)的基团,

R31为各自可以被取代的低级烷基、环烷基或饱和杂环,

R41、R51和R61相同或不同,为氢或低级烷基,

Ra1和Rb1相同或不同,为氢或者各自可以被取代的低级烷基、环烷基、芳基或杂环,或者

Ra1和Rb1可以与相邻的氮原子成为一体而形成各自可以被取代的单环式含氮杂环或多环式含氮杂环。

3.如权利要求1所述的化合物或其盐,其中,

R1和R2中的一个为氢、卤素、卤代低级烷基、低级烷基、-O-低级烷基或低级亚烷基-O-低级烷基,

另一个为式(II)的基团,

R3为低级亚烷基-(可以被卤素或-O-低级烷基取代的环烷基);低级亚烷基-含氧饱和杂环;可以被卤素或-O-低级烷基取代的环烷基;含氧饱和杂环;或者可以被低级烷基、低级亚烷基-芳基或-CO-低级亚烷基-O-低级烷基取代的单环式含氮饱和杂环,

R4和R5为氢,

R6为氢或低级烷基,

Ra和Rb中的一个为氢,另一个为可以被取代的低级烷基;可以被可被选自G2组中的基团取代的杂环取代的环烷基;或者可以被低级亚烷基-(可以被选自G1组中的基团取代的芳基)取代的杂环,或者

Ra和Rb可以与相邻的氮原子成为一体而形成可以被取代的单环式含氮杂环,或者可以形成可以被选自由下列基团组成的组中的基团取代的多环式含氮杂环:卤素;-O-低级烷基;可以被选自G2组中的基团取代的杂环;低级亚烷基-(可以被选自G1组中的基团取代的芳基);低级烷基;以及低级亚烷基-O-低级烷基。

4.如权利要求1所述的化合物或其盐,其中,

R1为氢、卤代低级烷基、低级烷基或-O-低级烷基,

R2为式(II)的基团,

R3为低级亚烷基-(可以被卤素或-O-低级烷基取代的环烷基);低级亚烷基-含氧饱和杂环;可以被卤素或-O-低级烷基取代的环烷基;含氧饱和杂环;或者可以被低级烷基、低级亚烷基-芳基或-CO-低级亚烷基-O-低级烷基取代的单环式含氮饱和杂环,

R4、R5和R6为氢,

Ra和Rb与相邻的氮原子成为一体而形成各自可以被取代的单环式含氮杂环。

5.如权利要求4所述的化合物或其盐,其中,

Ra和Rb与相邻的氮原子成为一体而形成的各自可以被取代的单环式含氮杂环为各自可以被取代的哌啶基或哌嗪基。

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