[发明专利]固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备在审
| 申请号： | 201180043274.3 | 申请日： | 2011-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN103098213A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 前田兼作;松谷弘康;守屋雄介 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 固态 成像 装置 制造 方法 电子设备 | ||
1.一种固态成像装置，包括：
半导体衬底；
形成在该半导体衬底中的光电转换部分；
设置在该半导体衬底上的包括有机材料层和无机材料层的叠层；以及
插设在该有机材料层与该无机材料层之间的至少一个应力弛豫层。
2.根据权利要求1的固态成像装置，其中该应力弛豫层具有的膜应力不同于该有机材料层的膜应力和该无机材料层的膜应力且介于该有机材料层的膜应力和该无机材料层的膜应力之间。
3.根据权利要求2的固态成像装置，其中该有机材料层是平坦化层，该无机材料层是微透镜层。
4.根据权利要求1的固态成像装置，其中该应力弛豫层包括从SiO、SiN和由组成式SiOXNY表示的硅化合物中选取的至少一种材料，其中0<X≤1，0<Y≤1。
5.根据权利要求1的固态成像装置，其中该应力弛豫层具有1.4至2.0的折射率。
6.一种固态成像装置的制造方法，包括如下步骤：
在半导体衬底中形成光电转换部分；以及
在该半导体衬底上形成包括有机材料层和无机材料层的叠层，并且在该有机材料层和该无机材料层之间插设至少一个应力弛豫层。
7.一种电子设备，包括：
固态成像装置，包括：半导体衬底、形成在该半导体衬底中的光电转换部分、设置在半导体衬底上的包括有机材料层和无机材料层的叠层、以及插设在该有机材料层与该无机材料层之间的至少一个应力弛豫层；
光学系统，用于把入射光引导至该固态成像装置的成像部分；以及
信号处理电路，用于处理来自该固态成像装置的输出信号。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
