[发明专利]光电半导体器件及其制造方法无效
申请号: | 201180043440.X | 申请日: | 2011-09-05 |
公开(公告)号: | CN103081147A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | M.皮希尔迈尔 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L33/64 | 分类号: | H01L33/64;H05K1/02;H05K1/03;H05K1/05;F21K99/00;H01L25/075;H01L33/48 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 丁永凡;刘春元 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种光电半导体器件(10),其具有支承体(2)和至少一个半导体芯片(1),其中
- 半导体芯片(1)具有用于产生电磁辐射的有源层,
- 支承体(2)在用于电接触半导体芯片(1)的上侧上具有电印制导线(6),
- 支承体(2)包含Si3N4或钼,以及
- 半导体芯片(1)固定在支承体(2)上。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中半导体芯片(1)直接固定在支承体(2)上。
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件,其中支承体(2)具有用于外部固定器件(10)的固定元件(7)。
4.根据权利要求3所述的半导体器件,其中固定元件(7)是支承体(2)的穿通部,使得器件(10)能够借助螺栓或铆钉外部固定。
5.根据上述权利要求之一所述的半导体器件,其中半导体芯片(1)是薄膜LED。
6.根据上述权利要求之一所述的半导体器件,其中印制导线(6)具有金属化部。
7.根据权利要求6所述的半导体器件,其中印制导线(6)具有NiPdAu。
8.根据上述权利要求之一所述的半导体器件,其中多个半导体芯片(1)直接固定在支承体(2)上。
9.根据上述权利要求之一所述的半导体器件,其中所述一个或多个半导体芯片(1)焊接到支承体(2)上和/或其中所述一个或多个半导体芯片(1)分别是倒装芯片。
10.根据至少权利要求2、4、7和9所述的半导体器件,其中支承体(2)包括钼或钼化合物。
11.一种用于制造光电器件(10)的方法,该光电器件具有支承体(2)和至少一个半导体芯片(1),该方法具有如下方法步骤:
- 提供支承体(2),所述支承体包含Si3N4或钼并且所述支承体在用于电接触半导体芯片的上侧上具有电印制导线(6),以及
- 将半导体芯片(1)施加到支承体(2)上。
12.根据权利要求11所述的方法,
- 借助焊接方法将半导体芯片(1)施加在支承体(2)上。
13.根据权利要求11或12所述的方法,其中将多个半导体芯片(1)施加在支承体(2)上。
14.根据上述权利要求11至13之一所述的方法,其中在支承体(2)中构建穿通部(7)。
15.根据权利要求14所述的方法,其中将螺栓或铆钉穿过穿通部(7)用于外部固定器件(10)。
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