[发明专利]使用与半导体施主分离的层来制造光电装置的方法和由该方法制成的装置

权利要求书

1.一种制造光电装置的方法，包括：

提供具有可分离层的半导体施主；

使所述可分离层从所述施主脱离；以及

将所述可分离层作为光电装置的电气功能元件并入所述光电装置中，

其中，所述提供半导体施主包括：提供固有层状材料，所述固有层状材料具有通过范德华力结合在一起的片层；并且

所述脱离包括：使所述片层的至少一个从所述半导体施主脱离。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述提供固有层状材料包括：提供包括镓和硒的材料。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述固有层状材料包括：具有大于或等于1.8eV并小于或等于2.5eV的块体能隙的层状材料。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述固有层状材料包括：具有大于或等于2.5eV并小于或等于4.5eV的块体能隙的层状材料。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述可分离层具有厚度，并且所述方法还包括：将所述可分离层的厚度作为所述光电装置的电气功能元件的预期性能的函数进行调整。

6.如权利要求5所述的方法，其中，所述厚度的调整是与所述脱离相结合进行的。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述光电装置具有p-n结，并且所述将可分离层并入包括：将所述可分离层并入所述p-n结的一侧中。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述光电装置具有p-n结，并且所述将可分离层并入包括：将所述可分离层并入所述p-n结的n-侧中，并且还包括：将第二可分离层并入所述p-n结的p-侧中。

9.如权利要求1所述的方法，其中，所述光电装置具有量子约束层，并且所述将可分离层并入包括：将所述可分离层并入所述量子约束层中。

10.如权利要求1所述的方法，其中，所述提供半导体施主包括：提供具有多个片层的晶体半导体施主，并且所述使可分离层与所述施主脱离包括：使所述多个片层的一部分与所述晶体半导体施主脱离。

11.如权利要求10所述的方法，其中，所述使多个片层的一部分脱离包括：使多个片层与所述晶体半导体施主脱离。

12.如权利要求1所述的方法，其中，所述可分离层具有第一掺杂类型，并且所述方法还包括：将第一半导体层沉积在所述可分离层的第一表面上，其中，所述第一半导体层具有与所述第一掺杂类型相反的第二掺杂类型，由此形成p-n结。

13.如权利要求1所述的方法，还包括：在两个半导体层之间夹入所述可分离层，其中，所述两个半导体层具有相反的掺杂类型，且每个半导体层的能隙大于所述可分离层的能隙。

14.如权利要求13所述的方法，还包括：提供具有小于100nm的厚度的所述可分离层，使得所述可分离层在所述光电装置中起量子约束层的作用。

15.如权利要求13所述的方法，还包括：提供具有大于100nm的厚度的所述可分离层，使得所述可分离层在所述光电装置中起电致发光层的作用。

16.如权利要求13所述的方法，还包括：提供具有非均匀厚度的所述可分离层，由此使得所述光电装置在被施加电压时发射多个光波段。

17.如权利要求16所述的方法，其中，所述非均匀厚度呈曲线形。

18.如权利要求16所述的方法，其中，所述非均匀厚度呈平坦形。

19.如权利要求12所述的方法，还包括：在沉积前，添加量子点至所述可分离层的表面。

20.如权利要求1所述的方法，还包括：使用夹间物质来改变所述可分离层的能隙。

21.如权利要求1所述的方法，还包括：通过剥离来改变所述可分离层的能隙。

22.如权利要求1所述的方法，其中，使用夹间物质完成所述脱离。