[发明专利]半导体陶瓷元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体陶瓷元件，包括：

元件主体，该元件主体包括由具有PTC特性的半导体陶瓷组成的PTC部分、以及由具有NTC特性的半导体陶瓷组成的NTC部分，所述PTC部分与所述NTC部分通过相互直接接触的接合界面而一体化；

第一电极，该第一电极以和所述PTC部分相接触的方式设置在所述元件主体的外表面上；以及

第二电极，该第二电极以和所述NTC部分相接触的方式设置在所述元件主体的外表面上，

该半导体陶瓷元件具有PTC特性与NTC特性的复合电特性。

2.如权利要求1所述的半导体陶瓷元件，其特征在于，

所述PTC部分由BaTiO₃类氧化物组成，所述NTC部分由Mn类的尖晶石型氧化物组成。

3.如权利要求2所述的半导体陶瓷元件，其特征在于，

在所述PTC部分与所述NTC部分的接合界面上、Ti的互扩散距离及Mn的互扩散距离均在50μm以下。

4.一种半导体陶瓷元件，包括：

元件主体，该元件主体由以下方式得到，即，在将具有PTC特性的半导体陶瓷及具有NTC特性的半导体陶瓷中的任何一个设为第一导电形式的半导体陶瓷，并将另一个设为第二导电形式的半导体陶瓷时，

在第一温度下、对应当成为所述第一导电形式的半导体陶瓷的半导体陶瓷材料进行烧成以得到基板，在该基板上形成含有应当成为所述第二导电形式的半导体陶瓷的半导体陶瓷材料在内的厚膜，并以低于所述第一温度的第二温度进行烧成；

第一电极，该第一电极以和所述基板相接触的方式设置在所述元件主体的外表面上；以及

第二电极，该第二电极以和所述厚膜相接触的方式设置在所述元件主体的外表面上，

该半导体陶瓷元件具有PTC特性与NTC特性的复合电特性。

5.一种半导体陶瓷元件的制造方法，包括：

在将具有PTC特性的半导体陶瓷及具有NTC特性的半导体陶瓷中的任何一个设为第一导电形式的半导体陶瓷，并将另一个设为第二导电形式的半导体陶瓷时，

在第一温度下对应当成为所述第一导电形式的半导体陶瓷的半导体陶瓷材料进行烧成以得到基板的工序；

在所述基板上形成含有应当成为所述第二导电形式的半导体陶瓷的半导体陶瓷材料在内的厚膜的工序；以及

以低于所述第一温度的第二温度对所述厚膜进行烧成的工序。

6.如权利要求5所述的半导体陶瓷元件的制造方法，其特征在于，

所述第一导电形式的半导体陶瓷由BaTiO₃类氧化物组成，所述第二导电形式的半导体陶瓷由Mn类的尖晶石型氧化物组成，所述第二温度比所述第一温度低150°C以上。