[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201180043987.X | 申请日： | 2011-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN103155121A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;野中裕介;井上卓之;津吹将志;秋元健吾;宫永昭治 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20;H01L21/203;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶晓勇;朱海煜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1. 一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：
在衬底上形成氧化物绝缘膜；
在所述氧化物绝缘膜上通过溅射方法形成具有包含锌的六角形晶体结构的种晶；
使用所述种晶作为核来进行晶体生长以形成具有六角形晶体结构的结晶氧化物半导体膜；
对所述结晶氧化物半导体膜进行热处理；
在所述热处理之后蚀刻所述结晶氧化物半导体膜；
在所述蚀刻步骤之后在所述结晶氧化物半导体膜上形成一对电极；
在所述结晶氧化物半导体膜及所述一对电极上形成栅极绝缘膜；以及
在所述栅极绝缘膜上形成栅电极。
2. 根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中具有包含锌的六角形结构的所述种晶为氧化锌。
3. 根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中当在200℃以上且400℃以下的温度加热所述衬底的同时形成所述结晶氧化物半导体。
4. 根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中包括在所述种晶中的所述晶体或包括在所述结晶氧化物半导体膜中的所述晶体具有与所述衬底的平表面实质上垂直的c轴。
5. 根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述热处理的温度为释放包括在所述结晶氧化物半导体膜中的氢的温度。
6. 一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：
在衬底上形成氧化物绝缘膜；
在所述氧化物绝缘膜上形成一对电极；
在所述氧化物绝缘膜及所述一对电极上通过溅射方法形成具有包含锌的六角形晶体结构的种晶；
使用所述种晶作为核来进行晶体生长以形成具有六角形晶体结构的结晶氧化物半导体膜；
对所述结晶氧化物半导体膜进行热处理；
在所述热处理之后蚀刻所述结晶氧化物半导体膜；
在所述蚀刻步骤之后在所述结晶氧化物半导体膜上形成栅极绝缘膜；以及
在所述栅极绝缘膜上形成栅电极。
7. 根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中具有包含锌的六角形结构的所述种晶为氧化锌。
8. 根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中当在200℃以上且400℃以下的温度加热所述衬底的同时形成所述结晶氧化物半导体。
9. 根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中包括在所述种晶中的所述晶体或包括在所述结晶氧化物半导体膜中的所述晶体具有与所述衬底的平表面实质上垂直的c轴。
10. 根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中所述热处理的温度为释放包括在所述结晶氧化物半导体膜中的氢的温度。
11. 一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：
在衬底上形成栅电极；
在所述栅电极上形成包括氧化物绝缘膜的栅极绝缘膜；
在所述栅极绝缘膜上通过溅射方法形成具有包含锌的六角形晶体结构的种晶；
使用所述种晶作为核来进行晶体生长以形成具有六角形晶体结构的结晶氧化物半导体膜；
对所述结晶氧化物半导体膜进行热处理；
在所述热处理之后蚀刻所述结晶氧化物半导体膜；以及
在所述蚀刻步骤之后在所述结晶氧化物半导体膜上形成一对电极。
12. 根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中具有包含锌的六角形结构的所述种晶为氧化锌。
13. 根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中当在200℃以上且400℃以下的温度加热所述衬底的同时形成所述结晶氧化物半导体。
14. 根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中包括在所述种晶中的所述晶体或包括在所述结晶氧化物半导体膜中的所述晶体具有与所述衬底的平表面实质上垂直的c轴。
15. 根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中所述热处理的温度为释放包括在所述结晶氧化物半导体膜中的氢的温度。
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