[发明专利]对光刻系统中的闪烁效应的校正

权利要求书

1.一种用于减小由用于将设计布局成像到衬底上的光刻系统产生的闪烁效应的方法，所述方法包括步骤：

通过将曝光场处的设计布局的密度分布图与点扩散函数(PSF)进行数学组合来模拟光刻系统的曝光场中的闪烁分布图，其中闪烁分布图上的系统特定的效应被包含到所述模拟中；和

通过使用所确定的闪烁分布图来计算设计布局的依赖于位置的闪烁校正，由此减小所述闪烁效应。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述系统特定的效应包括下述中的一个或更多个：由于来自掩模的黑边界的反射造成的闪烁效应、由于来自用于限定曝光狭缝的一个或更多个掩模版遮蔽刀片的反射造成的闪烁效应、由于过扫描造成的闪烁效应、由于来自动态气锁(DGL)机制的气锁子孔径的反射造成的闪烁效应和由于其他相邻的曝光场的贡献造成的在特定的曝光场内的闪烁效应。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述PSF是各向异性的，以模拟下述效应中的一个或更多个：由于来自掩模的黑边界的反射造成的闪烁效应、由于来自用于限定曝光狭缝的一个或更多个掩模版遮蔽刀片的反射造成的闪烁效应、由于过扫描造成的闪烁效应、由于来自动态气锁(DGL)机制的气锁子孔径的反射造成的闪烁效应和由于其他相邻的曝光场的贡献造成的在特定的曝光场内的闪烁效应。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述密度分布图包括在被光学增强特征(OEF)修改之后所述设计布局的表示。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述密度分布图由下述步骤生成：

获得单个芯片的设计布局，其中在曝光场处的总设计布局包括一个或更多个基本上相同的单个芯片的设计布局；

获得具有关于曝光场内的每个单个芯片位置的信息的位置数据库；和

使用所述位置数据库重现曝光场内的单个芯片的设计布局。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法还包括：

使用相对粗糙的栅格来近似曝光场处的设计布局的密度分布图，以确定所述闪烁分布图。

7.根据权利要求1所述的方法，其中计算设计布局的依赖于位置的校正的步骤包括：

用零闪烁或已知的参考闪烁条件来生成设计布局的参考图像；和

比较所确定的闪烁分布图与参考图像来计算所述依赖于位置的闪烁校正。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述参考图像是使用相对精细的栅格在曝光场处的设计布局的密度分布图或空间图像。

9.根据权利要求4所述的方法，其中所述方法还包括：

用依赖于位置的闪烁校正来更新OEF后设计布局，以生成改善的OEF后闪烁校正的设计布局；和

使用改善的OEF后闪烁校正的设计布局来改善用于光刻系统的全场计算光刻模型的精度。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述光刻系统中的辐射束具有极紫外(EUV)波长且使用反射式光学装置投影。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法还包括：

附加地补偿在曝光场处的阴影效应。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述方法还包括：

在OEF、闪烁和阴影校正之后，计算掩模邻近校正(MPC)和将掩模邻近校正应用至所述设计布局。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述PSF被以将PSF值与相应的离散的距离相关联的在频域中的分数形式或在空间域中的表格形式表示。

14.一种计算机程序产品，包括在其中记录有指令的计算机可读介质，所述指令在执行时使得所述计算机产生与设计布局相对应的文件，其中所述设计布局被修改，使得它减小由根据权利要求1的光刻系统生成的闪烁效应。

15.一种用于减小由用于将设计布局成像到衬底上的光刻系统产生的闪烁效应的方法，所述方法包括步骤：

通过将曝光场处的设计布局的密度分布图与点扩散函数(PSF)进行数学组合来确定光刻系统的曝光场中的闪烁分布图，其中所述密度分布图包括在被光学增强特征(OEF)修改之后所述设计布局的表示；和

通过使用所确定的闪烁分布图来计算OEF后设计布局的依赖于位置的闪烁校正，由此减小闪烁效应。