[发明专利]从气体中去除F2和/或OF2的方法

权利要求书

1.一种用于获得具有降低含量的F₂和/或OF₂以及，如果在有待处理的气体中存在的话，降低含量的HF的气体的方法，该方法包括至少一个步骤，该步骤是从包含F₂和/或OF₂以及任选的HF的气体中去除F₂和/或OF₂，其中将该气体与液体组合物进行接触，该液体组合物包含溶解的碱金属硫代硫酸盐和/或溶解的碱金属亚硝酸盐、以及至少一种选自碱金属氢氧化物以及碱金属碳酸盐中的溶解的碱。

2.如权利要求1所述的方法，其中该气体包含F₂。

3.如权利要求1或权利要求2所述的方法，其中将该气体与液体组合物进行接触，该液体组合物包含溶解的碱金属硫代硫酸盐，并且其中该碱金属硫代硫酸盐选自硫代硫酸钠以及硫代硫酸钾。

4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中该碱选自氢氧化钾和氢氧化钠。

5.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中该液体组合物包含氢氧化钾和硫代硫酸钠或碳酸钾和硫代硫酸钠。

6.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中相对于该组合物的总重量，该溶解的硫代硫酸盐的浓度按重量计等于或大于0.3％并且等于或低于按重量计5％。

7.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中相对于该组合物的总重量，该溶解的碱的浓度按重量计等于或大于15％并且等于或低于饱和浓度。

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的方法，其中将该气体与该液体组合物逆流接触。

9.如权利要求1至8中任一项所述的方法，其中将该气体与该组合物在1巴到3巴(绝对值)、优选1.1巴到2巴(绝对值)的压力下进行接触。

10.如权利要求1至9中任一项所述的方法，其中将该气体与该液体组合物在范围从10℃到80℃、优选在范围从20℃至40℃的温度下进行接触。

11.如权利要求1至10中任一项所述的方法，其中包含F₂的气体源自规格外F₂气体，或源自电解制造F₂的起始阶段，或它源自紧急事件。

12.如权利要求1至11中任一项所述的方法，其中包含F₂的气体源自规格外F₂气体，或源自电解制造F₂的起始阶段并且含有按体积计70％到98％的量的F₂，或它源自紧急事件并且含有按体积计1％到5％的量的F₂。

13.如权利要求1至12中任一项所述的方法，其中在与该液体组合物接触后获得的气体包含处于按体积计等于或低于200ppm的浓度的OF₂。

14.如权利要求1至13中任一项所述的方法，其中该处理是在处理装置中进行的，该处理装置合并在滑动件中。

15.一种用于制造选自半导体、光电池、TFT和MEMS中的物品或清洁在制造所述物品中使用的腔室的方法，该方法包括至少一个步骤，该步骤包括根据权利要求1至14中任一项的方法。

16.一种水溶液，含有或其组成为：按重量计1％到5％的处理剂，该处理剂选自KNO₂、NaNO₂、Na₂S₂O₃或K₂S₂O₃；按重量计10％到45％的KOH；按重量计10％到45％的NaOH；或KOH与NaOH的混合物，所述混合物的总含量是该溶液的按重量计10％到45％。

17.如权利要求16所述的溶液，包含或其组成为：按重量计1％到5％的Na₂S₂O₃、按重量计等于或大于50％的水以及按重量计等于或大于15％的KOH。