[发明专利]长有碳纳米管玻璃基板及其制造方法

权利要求书

1.一种碳纳米管成长方法，包含：

于玻璃基板上沉积触媒材料；

于所述玻璃基板上沉积非触媒材料；以及

在沉积所述触媒材料与所述非触媒材料之后，将所述玻璃基板暴露于碳纳米管成长条件，以于其上成长碳纳米管。

2.根据权利要求1所述的碳纳米管成长方法，进一步包含：

在所述碳纳米管正于所述玻璃基板上成长时运送所述玻璃基板。

3.根据权利要求1所述的碳纳米管成长方法，其中所述触媒材料包含触媒前驱物。

4.根据权利要求3所述的碳纳米管成长方法，其中所述触媒材料是在所述非触媒材料之前沉积。

5.根据权利要求3所述的碳纳米管成长方法，其中所述触媒材料是在所述非触媒材料之后沉积。

6.根据权利要求3所述的碳纳米管成长方法，其中所述触媒材料是与所述非触媒材料同时沉积。

7.根据权利要求3所述的碳纳米管成长方法，其中所述触媒前驱物包含过渡金属盐类，其选自由过渡金属硝酸盐、过渡金属醋酸盐、过渡金属柠檬酸盐、过渡金属氯化物、其水合物及其组合所组成的组。

8.根据权利要求7所述的碳纳米管成长方法，其中所述过渡金属盐类是选自由硝酸亚铁（II）、硝酸铁（III）、硝酸钴（II）、硝酸镍（II）、硝酸铜（II）、醋酸亚铁（II）、醋酸铁（III）、醋酸钴（II）、醋酸镍（II）、醋酸铜（II）、柠檬酸亚铁（II）、柠檬酸铁（III）、柠檬酸铁（III）铵、柠檬酸钴（II）、柠檬酸镍（II）、柠檬酸铜（II）、氯化亚铁（II）、氯化铁（II）、氯化钴（II）、氯化镍（II）、氯化铜（II）、其水合物及其组合所组成的组。

9.根据权利要求3所述的碳纳米管成长方法，其中所述非触媒材料是选自铝盐或其水合物、玻璃、硅酸盐、硅烷及其组合所组成的组。

10.根据权利要求9所述的碳纳米管成长方法，其中所述铝盐是选自由硝酸铝、醋酸铝、其水合物及其组合所组成的组。

11.根据权利要求3所述的碳纳米管成长方法，其中所述触媒材料与所述非触媒材料各自是从溶液来沉积，所述溶液包含水作为溶剂。

12.根据权利要求11所述的碳纳米管成长方法，其中所述触媒材料与所述非触媒材料是通过选自由喷涂、浸涂及其组合所组成的组的技术而加以沉积。

13.根据权利要求3所述的碳纳米管成长方法，其中所述非触媒材料对所述触媒材料的摩尔比例至多约为6:1。

14.根据权利要求3所述的碳纳米管成长方法，其中所述非触媒材料对所述触媒材料的摩尔比例至多约为2:1。

15.根据权利要求3所述的碳纳米管成长方法，其中所述触媒前驱物是自至少一种过渡金属盐与过氧化氢之间的反应而形成。

16.根据权利要求15所述的碳纳米管成长方法，其中所述至少一种过渡金属盐类包括铁（II）盐或其水合物以及钴（II）盐或其水合物。

17.根据权利要求3所述的碳纳米管成长方法，其中所述触媒材料与所述非触媒材料包含触媒涂层，所述触媒涂层具有约5纳米至约100纳米的厚度。

18.一种碳纳米管成长方法，包含：

于玻璃纤维基板上沉积触媒前驱物；

于所述玻璃纤维基板上沉积非触媒材料；

将所述触媒前驱物转化为触媒，所述触媒可运作以于暴露至碳纳米管成长条件时用于成长碳纳米管；以及

当正在运送所述玻璃纤维基板时，将所述玻璃纤维基板暴露于碳纳米管成长条件，以于所述玻璃纤维基板上成长碳纳米管。

19.根据权利要求18所述的碳纳米管成长方法，其中所述触媒前驱物是在所述非触媒材料之前沉积。

20.根据权利要求18所述的碳纳米管成长方法，其中所述触媒前驱物是在所述非触媒材料之后沉积。

21.根据权利要求18所述的碳纳米管成长方法，其中所述触媒前驱物是与所述非触媒材料同时沉积。

22.根据权利要求18所述的碳纳米管成长方法，其中所述触媒前驱物与所述非触媒材料是各自从溶液沉积，所述溶液包含水作为溶剂。