[发明专利]光电子半导体芯片

权利要求书

1.一种光电子半导体芯片（1），包括：

半导体层序列（2），所述半导体层序列（2）具有第一导电类型的第一半导体区域（3）、第二导电类型的第二半导体区域（5）以及有源区（4），所述有源区（4）布置在所述第一半导体区域（3）与所述第二半导体区域（5）之间，

载体基底（10），其中，所述半导体层序列（2）具有面对所述载体基底（10）的第一主区域（11）和位于对面的第二主区域（12），

第一电接触层（7）和第二电接触层（8），所述第一电接触层（7）和所述第二电接触层（8）至少布置在所述载体基底（10）与所述半导体层序列（2）的所述第一主区域（11）之间的区域中，其中，所述第二电接触层（8）被引导通过所述第一半导体区域（3）和所述有源区（4）中的贯通（18）到达所述第二半导体区域（5），

电绝缘层（9），所述电绝缘层（9）使所述第一电接触层（7）与所述第二电接触层（8）互相绝缘，以及

镜面层（6），所述镜面层（6）布置在所述半导体序列（2）与所述载体基底（10）之间，

其中，

所述镜面层（6）邻接所述第一电接触层（7）的部分区域和所述电绝缘层（9）的部分区域（19），其中，面对所述载体基底（10）的所述镜面层（6）的界面（16）的主要部分由所述第一电接触层（7）所覆盖，

邻接所述镜面层（6）的所述电绝缘层（9）的所述部分区域（19）以其不邻接所述光电子半导体芯片（1）的周围介质这样的方式，由所述第二电接触层（8）所覆盖，以及

所述半导体层序列（2）具有切断（17），在所述切断（17）中，所述第一电接触层（7）未被覆盖以形成连接接触（14）。

2.根据权利要求1所述的光电子半导体芯片，

其中，所述第一电接触层（7）包含金、钛、铬、氮化钛、氮化钛钨或镍。

3.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，

其中，所述镜面层（6）包含银、铝或银或铝的合金。

4.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，

其中，所述第二电接触层（8）包含银、铝或银或铝的合金。

5.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，

其中，所述电绝缘层（9）包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或氧化铝。

6.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，

其中，所述第一电接触层（7）直接邻接布置在所述连接接触（14）旁的所述第一半导体区域（3）的部分区域（13）。

7.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，

其中，所述第二半导体区域（5）的部分区域（15）侧向地突出超过所述第一半导体区域（3）。

8.根据权利要求7所述的光电子半导体芯片，

其中，所述第二电接触层（8）在所述部分区域（15）中至少部分地直接邻接所述第二半导体区域（5），在所述部分区域（15）中所述第二半导体区域（5）侧向地突出超过所述第一半导体区域（3）。

9.根据权利要求8所述的光电子半导体芯片，

其中，所述第二电接触层（8）形成到所述半导体层序列（2）的所述第二半导体区域（5）的周向延伸接触，所述周向延伸接触被完全地引导在所述第一半导体区域（3）周围。

10.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，

其中，所述连接接触（14）布置在所述半导体芯片（1）的中心的外部。

11.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，

其中，如在侧向方向上看出，所述连接接触（14）在所有侧上由所述半导体层序列（2）的一部分围绕。

12.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，

其中，所述第一半导体区域（3）是p型半导体区域。

13.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，

其中，所述第二半导体区域（5）是n型半导体区域。

14.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，

其中，所述半导体层序列（2）不具有生长基底（20）。

15.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，

其中，所述半导体芯片（1）借助于焊层（21）连接至所述载体基底（10）。