[发明专利]通过添加疏水性纳米粒子而改变粒子的溶解速率的方法

权利要求书

1.一种改变多个粒子的溶解速率的方法，所述方法包括：

提供多个粒子，所述多个粒子在水基溶剂中具有溶解度；

加入经疏水化表面改性的纳米粒子；和

将所述多个粒子暴露于所述水基溶剂，

在水基溶剂中和所述经疏水化表面改性的纳米粒子组合的所述多个粒子的溶解速率与在所述水基溶剂中不存在经疏水化表面改性的纳米粒子的所述多个粒子的溶解速率相比具有改变的溶解速率。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述水基溶剂为水。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述水基溶剂包含水和水可溶混的极性有机溶剂的混合物。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述水可溶混的极性有机溶剂选自极性有机质子溶剂、极性有机非质子溶剂和它们的混合物。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述极性有机质子溶剂为具有最多至6个碳原子的醇。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述极性有机非质子溶剂选自二甲基亚砜、二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮、乙腈、丙酮、四氢呋喃和它们的混合物。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个粒子的经改变的在水基溶剂中的溶解速率比在不存在经疏水化表面改性的纳米粒子的情况下所述多个粒子在所述水基溶剂中的溶解速率更高。

8.根据权利要求1所述的方法，其中当根据测量样品的导电率的方法测试时，所述多个粒子的经改变的在水基溶剂中的溶解速率比在不存在经疏水化表面改性的纳米粒子的情况下所述多个粒子在水基溶剂中的溶解速率高至少10％。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个粒子的经改变的在水基溶剂中的溶解速率与在不存在经疏水化表面改性的纳米粒子的情况下所述多个粒子在对比样品中的溶解速率相比更低。

10.根据权利要求1所述的方法，其中当根据测量样品的导电率的方法测试时，所述多个粒子的经改变的在水基溶剂中的溶解速率与在不存在经疏水化表面改性的纳米粒子的情况下所述多个粒子在对比样品中的溶解速率相比低至少10％。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述经疏水化表面改性的纳米粒子作为分立的经疏水化表面改性的纳米粒子加入。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述经疏水化表面改性的纳米粒子包含具有疏水性表面处理剂的金属氧化物。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述金属氧化物包括二氧化硅。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述粒子包含选自如下的化合物：硼砂、氯化钙、氢氧化钙、氯化镁、硫酸镁、氯化钠和亚硫酸钠。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述粒子包含硼砂。

16.根据权利要求1所述的方法，其中所述粒子包含药剂。

17.根据权利要求1所述的方法，其中所述粒子还包含赋形剂。

18.根据权利要求1所述的方法，其中所述粒子具有最多至200微米的中值粒度。

19.根据权利要求1所述的方法，其中所述粒子具有最多至75微米的中值粒度。

20.根据权利要求1所述的方法，其中所述粒子具有最多至45微米的中值粒度。

21.根据权利要求1所述的方法，其中所述经疏水化表面改性的纳米粒子具有最多至100纳米的原生纳米粒子粒度。

22.根据权利要求1所述的方法，其中所述经疏水化表面改性的纳米粒子具有平均纳米粒子粒度，其中所述粒子具有至少1微米的中值原生粒度，且其中所述中值原生粒度所处范围与所述经疏水化表面改性的纳米粒子的平均纳米粒子粒度相比大10至10,000倍。

23.根据权利要求1所述的方法，其中所述经疏水化表面改性的纳米粒子包含具有有机硅烷表面处理剂的二氧化硅。

24.根据权利要求23所述的方法，其中所述有机硅烷表面处理剂包括异辛基三甲氧基硅烷。

25.根据权利要求16所述的方法，其中所述药剂包括对乙酰氨基酚。