[发明专利]电子元件的制造方法

权利要求书

1.一种电子元件的制造方法，该制造方法包括：粘合剂形成步骤，在晶圆背面涂布糊状粘合剂，对该糊状粘合剂照射紫外线或加热，使其半硬化成片状，形成粘合剂半硬化层；贴附步骤，在该晶圆的粘合剂半硬化层与环形架上贴附粘合片，并进行固定；切割步骤，用切割刀切割晶圆而分割成半导体芯片；照射紫外线的紫外线照射步骤；以及自粘合层拾取芯片与粘合剂半硬化层的拾取步骤，

该粘合片具有基材膜、层合于基材膜的一个面上的粘合层，

构成该粘合层的粘合剂具有100质量份的（甲基）丙烯酸酯共聚物（A）、5～200质量份的紫外线聚合性化合物（B）、0.5～20质量份的多官能异氰酸酯硬化剂（C）、0.1～20质量份的光聚合引发剂（D）、与0.1～20质量份的硅氧烷聚合物（E），

（甲基）丙烯酸酯共聚物（A）是（甲基）丙烯酸酯单体的共聚物或（甲基）丙烯酸酯单体与乙烯基化合物单体的共聚物，（甲基）丙烯酸酯单体与乙烯基化合物单体都不具有羟基，

紫外线聚合性化合物（B）是由氨基甲酸乙酯-丙烯酸酯低聚物（B1）与多官能（甲基）丙烯酸酯（B2）所构成，

氨基甲酸乙酯-丙烯酸酯低聚物（B1）的重均分子量为50000以上，且所述重均分子量Mw与数均分子量Mn之比、即分散度Mw/Mn为5以上，且具有10个以上乙烯基，

光聚合引发剂（D）具有羟基，

硅氧烷聚合物（E）具有羟基。

2.如权利要求1所述的电子元件的制造方法，其中所述氨基甲酸乙酯-丙烯酸酯低聚物（B1）是使以二季戊四醇五丙烯酸酯为主成分并含羟基的丙烯酸酯与异佛尔酮二异氰酸酯三聚体的异氰酸酯基反应而得到，

所述多官能（甲基）丙烯酸酯（B2）是二季戊四醇六丙烯酸酯。

3.如权利要求1或2所述的电子元件的制造方法，其中所述粘合剂形成步骤中的粘合剂半硬化层的组合物，至少具有环氧树脂或（甲基）丙烯酸酯中的一者或两者。

4.一种电子元件制造用粘合片，其被用于贴附在形成于晶圆背面的粘合剂半硬化层，

所述粘合片具有基材膜、层合于基材膜的一个面上的粘合层，

构成该粘合层的粘合剂具有：100质量份的（甲基）丙烯酸酯共聚物（A）、5～200质量份的紫外线聚合性化合物（B）、0.5～20质量份的多官能异氰酸酯硬化剂（C）、0.1～20质量份的光聚合引发剂（D）、与0.1～20质量份的硅氧烷聚合物（E），

（甲基）丙烯酸酯共聚物（A）是（甲基）丙烯酸酯单体的共聚物或（甲基）丙烯酸酯单体与乙烯基化合物单体的共聚物，（甲基）丙烯酸酯单体与乙烯基化合物单体都不具有羟基，

紫外线聚合性化合物（B）是由氨基甲酸乙酯-丙烯酸酯低聚物（B1）与多官能（甲基）丙烯酸酯（B2）所构成，

氨基甲酸乙酯-丙烯酸酯低聚物（B1）的重均分子量为50000以上，且所述重均分子量Mw与数均分子量Mn之比、即分散度Mw/Mn为5以上，且具有10个以上乙烯基，

光聚合引发剂（D）具有羟基，

硅氧烷聚合物（E）具有羟基。