[发明专利]具有加强硅穿孔的半导体芯片

权利要求书

1.一种制造方法，包括：

将第一硅穿孔（100f）的第一末端（131）连接到紧邻第一半导体芯片（15）的第一侧的第一芯片密封件（125）；和

将所述第一硅穿孔的第二末端（133）连接到紧邻所述第一半导体芯片所述第一侧对面的第二侧的第二芯片密封件（115）。

2.如权利要求1所述的方法，其包括将所述第一芯片密封件电连接到接地。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一半导体芯片包括静电放电二极管（190），所述方法包括将所述第一芯片密封件电连接到所述静电放电二极管。

4.如权利要求1所述的方法，其包括将所述第一硅穿孔的所述第一末端连接到紧邻所述第一半导体芯片的所述第一侧的第二第三芯片密封件，并将所述第一硅穿孔的所述第二末端连接到紧邻所述第一半导体芯片的所述第二侧的第四芯片密封件。

5.如权利要求1所述的方法，其包括将第二硅穿孔的所述第一末端连接到紧邻所述第一半导体芯片的所述第一侧的第三芯片密封件，并将所述第二硅穿孔的所述第二末端连接到紧邻所述第一半导体芯片的所述第二侧的第四芯片密封件。

6.如权利要求5所述的方法，其包括将导体构件（160）连接到所述第一和第二硅穿孔的相邻表面。

7.如权利要求1所述的方法，其包括将第二半导体芯片（25）堆叠在所述第一半导体芯片上。

8.如权利要求1所述的方法，其包括将所述第一硅穿孔电连接到所述第一半导体芯片上的连续电路（195）。

9.如权利要求1所述的方法，其包括将所述第一硅穿孔遍历所述第一半导体芯片中的吸气层（330）。

10.一种制造方法，其包括：

在第一半导体芯片（15）中形成第一硅穿孔（100i），所述第一硅穿孔包括第一末端（131）和第二末端（133）；

形成与所述第一硅穿孔的所述第一末端欧姆接触的第一芯片密封件（125）；和

形成与所述第一硅穿孔的所述第二末端欧姆接触的第二芯片密封件（115）。

11.如权利要求10所述的方法，其包括将所述第一芯片密封件电连接到接地。

12.如权利要求10所述的方法，其中所述第一半导体芯片包括静电放电二极管（190），所述方法包括将所述第一芯片密封件电连接到所述静电放电二极管。

13.如权利要求10所述的方法，其包括形成与所述第一硅穿孔的所述第一末端欧姆接触的第三芯片密封件和与所述第一硅穿孔的所述第二末端欧姆接触的第四芯片密封件。

14.如权利要求10所述的方法，其包括在所述第一半导体芯片中形成具有第一和第二末端的第二硅穿孔、与所述第二硅穿孔的所述第一末端欧姆接触的第三芯片密封件，和与所述第二硅穿孔的所述第二末端欧姆接触的第四芯片密封件。

15.如权利要求14所述的方法，其包括在所述第一和第二硅穿孔的相邻表面之间形成导体构件（160）。

16.如权利要求10所述的方法，其包括将第二半导体芯片（25）堆叠在所述第一半导体芯片上。

17.如权利要求10所述的方法，其包括将所述第一硅穿孔电连接到所述第一半导体芯片上的连续电路（195）。

18.如权利要求10所述的方法，其包括在所述第一半导体芯片中形成吸气层（330）并与所述第一硅穿孔接触。

19.如权利要求10所述的方法，其中至少所述第一硅穿孔是使用计算机可读介质中储存的指令形成的。

20.一种装置，其包括：

第一半导体芯片（15），其具有第一侧和第二相对侧，且包括紧邻所述第一侧的第一芯片密封件（125）和紧邻所述第二侧的第二芯片密封件（115）；和

第一硅穿孔（100f），其具有连接到所述第一芯片密封件的第一末端（131）和连接到所述第二芯片密封件的第二末端（133）。

21.如权利要求20所述的装置，其中所述第一芯片密封件被电连接到接地。