[发明专利]相变存储器结构及方法

权利要求书

1.一种形成相变存储器结构的方法，所述方法包括：

在相变存储器单元的第一导电元件上及电介质材料上形成绝缘体材料；

形成与所述第一导电元件自对准的加热器；

在所述加热器及形成于所述电介质材料上的所述绝缘体材料的至少一部分上形成相变材料；及

在所述相变材料上形成所述相变存储器单元的第二导电元件。

2.根据权利要求1所述的方法，其包含通过对所述绝缘体材料的一部分进行改质形成所述加热器。

3.根据权利要求2所述的方法，其包含在所述加热器上及所述绝缘体材料的未经改质部分上形成所述相变材料。

4.根据权利要求2所述的方法，其中对所述绝缘体材料的所述部分进行改质包含加热所述绝缘体材料的所述部分。

5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中加热所述绝缘体材料的所述部分包含以下各项中的至少一者：

快速热退火RTA工艺；

激光退火工艺；及

微波加热工艺。

6.根据权利要求2所述的方法，其中对所述绝缘体材料的所述部分进行改质包含在所述绝缘体材料与所述第一导电元件的材料之间产生反应以形成所述加热器。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述绝缘体材料为氮化铝(AlN)，所述第一导电元件的所述材料为钛(Ti)及氮化钛(TiN)中的至少一者，且其中所述反应形成氮化钛铝(TiAlN)加热器。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述绝缘体材料为氮化硅(SiN)，所述第一导电元件的所述材料为氮化钛(TiN)及氮化钽(TaN)中的至少一者，且其中所述反应形成氮化钛硅(TiSiN)加热器及氮化钽硅(TaSiN)加热器中的至少一者。

9.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其包含经由掩蔽及蚀刻工艺形成与所述第一导电元件自对准的所述加热器。

10.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中形成所述第一导电元件包含形成底部电极，且形成所述第二导电元件包含形成顶部电极。

11.一种形成相变存储器结构的方法，所述方法包括：

在相变存储器单元的第一电极上形成绝缘性粘附材料；

通过加热所述绝缘性粘附材料的至少一部分形成与所述第一电极自对准的界面加热器，所述界面加热器为不同于所述绝缘性粘附材料的材料；

在所述界面加热器上形成相变材料；及

在所述相变材料上形成第二电极。

12.根据权利要求11所述的方法，其包含：

形成所述第一电极使得所述第一电极的侧表面与电介质材料接触；及

在所述电介质材料的上部表面的至少一部分上形成所述绝缘性粘附材料。

13.根据权利要求12所述的方法，其包含在所述界面加热器的上部表面上及所述绝缘性粘附材料的至少一部分的上部表面上形成所述相变材料。

14.根据权利要求11所述的方法，其包含：

通过在形成于电介质材料中的通孔中沉积电极材料形成所述第一电极；及

在于所述第一电极上形成所述绝缘性粘附材料之前对所述第一电极执行平面化工艺。

15.根据权利要求11到14中任一权利要求所述的方法，其中加热所述绝缘性粘附材料的所述至少一部分包含对所述相变存储器结构执行热退火工艺。

16.根据权利要求11到14中任一权利要求所述的方法，其中加热所述绝缘性粘附材料的所述至少一部分包含对所述绝缘性粘附材料的所述至少一部分执行微波加热工艺。

17.根据权利要求11到14中任一权利要求所述的方法，其中加热所述绝缘性粘附材料的所述至少一部分包含对所述绝缘性粘附材料的所述至少一部分执行激光退火工艺。

18.根据权利要求11到14中任一权利要求所述的方法，其包含通过在于所述第一电极上形成所述绝缘性粘附材料之前且在加热所述绝缘性粘附材料的所述至少一部分之前执行原位等离子处理工艺来还原所述第一电极的氧化。