[发明专利]超高选择性的掺杂非晶碳可剥除硬掩模的开发与集成

权利要求书

1.一种在处理腔室中处理基板的方法，所述方法包含：

在RF功率的存在下，使基板暴露于含碳氢化合物气体的流动，以在所述基板上沉积不含硼的非晶碳膜；

关闭所述RF功率，同时使所述含碳氢化合物气体持续流动；及

在RF功率的存在下，使所述基板暴露于含硼气体的流动与所述含碳氢化合物气体的流动，以在所述不含硼的非晶碳膜上沉积含硼非晶碳膜，其中所述含硼非晶碳膜含有原子百分比为约30至60的硼。

2.如权利要求1的方法，其中所述不含硼的非晶碳膜具有约至约的厚度，并且所述含硼非晶碳膜具有约至约的厚度。

3.如权利要求1的方法，其中所述含硼非晶碳膜含有原子百分比为约20至约50的碳，并且所述含硼非晶碳膜含有原子百分比为约10至约25的氢。

4.如权利要求1的方法，其中所述含碳氢化合物气体混合物包含至少一种碳氢化合物，所述至少一种碳氢化合物具有C_xH_y的通式，其中x为在1与4之间且y为在2与10之间。

5.如权利要求4的方法，其中所述含碳氢化合物气体混合物更包含惰性与/或载体气体，所述惰性与/或载体气体选自包含氩、氮与氦的群组。

6.如权利要求5的方法，其中所述含硼气体混合物包含乙硼烷(B₂H₆)、三甲基硼(TMB或B(CH₃)₃)、三乙基硼(TEB)、甲基硼、二甲基硼、乙基硼、二乙基硼、或上述的组合。

7.如权利要求6的方法，其中所述碳氢化合物选自包含以下的群组：甲烷(CH₄)、乙烷(C₂H₆)、乙烯(C₂H₄)、丙烯(C₃H₆)、丙炔(C₃H₄)、丙烷(C₃H₈)、丁烷(C₄H₁₀)、丁烯(C₄H₈)及丁烯的异构体、丁二烯(C₄H₆)、乙炔(C₂H₂)、以及上述的组合。

8.如权利要求1的方法，其中所述基板包含多个交替的氧化物与氮化物材料、和非晶硅交替的氧化物、和多晶硅交替的氧化物、和掺杂硅交替的未掺杂硅、和掺杂多晶硅交替的未掺杂多晶硅、和掺杂非晶硅交替的未掺杂非晶硅、铝、钨、氮化钛、铜、氧化硅、氧氮化硅、氮化硅、以及上述的组合。

9.如权利要求1的方法，所述方法更包含：

蚀刻所述含硼非晶碳膜，以形成图案化含硼非晶碳膜；及

在所述基板中形成相应于所述图案化含硼非晶碳膜的特征定义。

10.一种在处理腔室中处理基板的方法，所述方法包含：

在处理腔室中提供基板；

使含碳氢化合物气体混合物流动到所述处理腔室内；

从所述含碳氢化合物气体混合物产生第一等离子体，以在所述基板上沉积不含硼的非晶碳膜，所述不含硼的非晶碳膜具有约至约的厚度；

通过关闭所述第一等离子体同时使所述含碳氢化合物气体混合物持续流动到所述处理腔室内来稳定化所述处理腔室内的处理条件；

使含硼气体混合物流动到所述处理腔室内；及

从所述含碳氢化合物气体混合物与所述含硼气体混合物产生第二等离子体，以在所述不含硼的非晶碳膜上沉积含硼非晶碳膜，所述含硼非晶碳膜具有约至约的厚度并且含有原子百分比为约10至约60的硼，含有原子百分比为约20至约50的碳，且含有原子百分比为约10至约25的氢；

使用含有过氧化氢与硫酸的溶液来移除所述含硼非晶碳膜；及

使用含氢等离子体、含氧等离子体或它们的组合来移除所述不含硼的非晶碳膜。

11.一种含硼非晶碳膜，含有原子百分比为约35至60的硼、原子百分比为约20至约50的碳、与原子百分比为约10至约30的氢。