[发明专利]薄膜制造方法和薄膜制造装置有效
| 申请号： | 201180045070.3 | 申请日： | 2011-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN103119697A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 增田健;出野琢也;梶沼雅彦;小田岛畅洋;内田阳平;邹弘纲 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;C23C16/52;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 徐川;张颖玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 制造 方法 装置 | ||
1.一种薄膜制造方法，包括：
向腔室内输送虚拟基板，并向所述虚拟基板供给虚拟处理用气体，
向所述腔室内输送产品基板，并向所述产品基板供给与所述虚拟处理用气体不同的、含有用于利用MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法制造薄膜的金属原料的原料气体。
2.根据权利要求1所述的薄膜制造方法，其中，供给所述原料气体的工序将在所述原料气体中混合了与所述原料气体反应的反应气体、惰性气体的混合气体供给至所述产品基板。
3.根据权利要求2所述的薄膜制造方法，其中，所述虚拟处理用气体是在用于溶解所述金属原料的溶剂气体中混合所述反应气体和所述惰性气体得到的气体。
4.根据权利要求2所述的薄膜制造方法，其中，所述虚拟处理用气体是将用于溶解所述金属原料的溶剂气体与所述惰性气体混合得到的气体。
5.根据权利要求2所述的薄膜制造方法，其中，所述虚拟处理用气体是所述惰性气体。
6.根据权利要求1所述的薄膜制造方法，其中，供给所述原料气体的工序向所述产品基板供给含有所述原料气体以及与所述原料气体反应的反应气体的混合气体。
7.根据权利要求6所述的薄膜制造方法，其中，所述虚拟处理用气体是用于溶解所述金属原料的溶剂气体与所述反应气体混合的气体。
8.根据权利要求6所述的薄膜制造装置，其中，所述虚拟处理用气体是所述反应气体。
9.一种薄膜制造装置，包括：
腔室，分别输送虚拟基板与产品基板；
供给机构，用于将虚拟处理用气体以及与所述虚拟处理用气体不同的、含有用于利用MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法制造薄膜的金属原料的原料气体分别供给到所述腔室内；和
控制部，在向所述腔室内输送所述虚拟基板时，将所述虚拟处理用气体供给到所述腔室内，在向所述腔室内输送所述产品基板代替所述虚拟基板时，将所述原料气体供给到所述腔室内。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
