[发明专利]粘接剂组合物及使用其的半导体装置无效
申请号: | 201180045172.5 | 申请日: | 2011-09-27 |
公开(公告)号: | CN103108929A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 今野馨;林宏树 | 申请(专利权)人: | 日立化成株式会社 |
主分类号: | C09J1/00 | 分类号: | C09J1/00;C09J9/02;C09J11/06;H01B1/22;H01L21/52 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 蒋亭 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 粘接剂 组合 使用 半导体 装置 | ||
1.一种粘接剂组合物,其特征在于,含有银粒子(A)及具有300℃以上沸点的醇或羧酸(B),
所述银粒子(A)在用X射线光电子能谱法进行测定时,来自银氧化物的氧的状态比率小于15%。
2.根据权利要求1所述的粘接剂组合物,其特征在于,其还含有沸点为100~300℃的挥发性成分(C)。
3.根据权利要求1~2中任一项所述的粘接剂组合物,其特征在于,含有以下银粒子,所述银离子以在用X射线光电子能谱法进行测定时该银粒子中来自银氧化物的氧的状态比率小于15%的方式,实施了用于除去银粒子的氧化膜的处理、以及用于防止再氧化和银粒子凝聚的表面处理。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的粘接剂组合物,其特征在于,所述银粒子的平均粒径为0.1μm以上且50μm以下。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的粘接剂组合物,其特征在于,对所述银粒子施加100℃以上且200℃以下的热过程,使其烧结,由此形成体积电阻率为1×10-4Ω·cm以下且导热率为30W/m·K以上的固化物。
6.一种半导体装置,其具有借助权利要求1~5中任一项所述的粘接剂组合物将半导体元件和半导体元件搭载用支撑部件粘接而成的结构。
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