[发明专利]多面体结构聚硅氧烷改性体、多面体结构聚硅氧烷系组合物、固化物及光半导体器件

权利要求书

1.一种多面体结构聚硅氧烷改性体，其特征在于，其是通过将具有链烯基的多面体结构聚硅氧烷系化合物（a）与具有氢硅烷基的化合物（b）进行氢化硅烷化反应而得到的多面体结构聚硅氧烷改性体，

其中，所述多面体结构聚硅氧烷改性体具有来自于1分子中具有1个链烯基的有机硅化合物（a′）的结构。

2.根据权利要求1所述的多面体结构聚硅氧烷改性体，其特征在于，多面体结构聚硅氧烷改性体在温度20℃下为液状。

3.根据权利要求1或2所述的多面体结构聚硅氧烷改性体，其特征在于，1分子中具有1个链烯基的有机硅化合物（a′）为具有1个以上芳基的有机硅化合物。

4.根据权利要求3所述的多面体结构聚硅氧烷改性体，其特征在于，芳基直接键合在硅原子上。

5.根据权利要求1～4中任1项所述的多面体结构聚硅氧烷改性体，其特征在于，具有氢硅烷基的化合物（b）为具有氢硅烷基的环状硅氧烷和/或直链状硅氧烷。

6.根据权利要求1～4中任1项所述的多面体结构聚硅氧烷改性体，其特征在于，含有氢硅烷基的化合物（b）为具有氢硅烷基的环状硅氧烷。

7.根据权利要求6所述的多面体结构聚硅氧烷改性体，其特征在于，含有氢硅烷基的化合物（b）为1,3,5,7-四氢-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷。

8.根据权利要求1～7中任1项所述的多面体结构聚硅氧烷改性体，其特征在于，具有链烯基的多面体结构聚硅氧烷系化合物（a）为由下式表示的硅氧烷单元构成的具有链烯基的多面体结构聚硅氧烷系化合物，

[AR¹₂SiO-SiO_3/2]_a[R²₃SiO-SiO_3/2]_b

式中，a+b为6～24的整数，a为1以上的整数，b为0或1以上的整数；A为链烯基；R¹为烷基或芳基；R²为氢原子、烷基、芳基、或与其它的多面体骨架聚硅氧烷连接的基团。

9.一种多面体结构聚硅氧烷改性体，其特征在于，其由下式表示的硅氧烷单元构成，

[XR³₂SiO-SiO_3/2]_a[R⁴₃SiO-SiO_3/2]_b

式中，a+b为6～24的整数，a为1以上的整数，b为0或1以上的整数；R³为烷基或芳基；R⁴为链烯基、氢原子、烷基、芳基、或与其它的多面体骨架聚硅氧烷连接的基团；X具有下述通式（1）或通式（2）中的任一结构，当X有多个时通式（1）或通式（2）的结构可以不同，而且通式（1）或通式（2）的结构也可以混合存在，

[化学式1]

[化学式2]

所述通式（1）和通式（2）中，I为2以上的整数；m为0以上的整数；n为2以上的整数；Y为氢原子、链烯基、烷基、芳基、或者介由亚烷基链与多面体结构聚硅氧烷键合的部位，其可以相同也可以不同；Z为氢原子、链烯基、烷基、芳基、或者介由亚烷基链与多面体结构聚硅氧烷键合的部位，其可以相同也可以不同；其中，Y和Z中的至少1个为氢原子，且至少1个具有下述通式（3）的结构，R为烷基或芳基，

-[CH₂]_I-R⁵     (3)

所述通式（3）中，I为2以上的整数；R⁵为含有有机硅化合物的基团。

10.根据权利要求9所述的多面体结构聚硅氧烷改性体，其特征在于，R⁵含有1个以上的芳基。

11.根据权利要求10所述的多面体结构聚硅氧烷改性体，其特征在于，芳基直接键合在硅原子上。

12.根据权利要求1～11中任1项所述的多面体结构聚硅氧烷改性体，其特征在于，分子中平均含有3个以上的氢硅烷基。