[发明专利]基板处理系统

说明书

技术领域

本发明涉及对基板进行规定处理的基板处理系统，在腔室内充满了惰性气体的情况下进行基板处理。

背景技术

通常，在半导体装置或者掩模的制造中，使用基板上涂布抗蚀剂液的涂布装置、基板输送装置、将基板上的涂布膜进行干燥的干燥装置等对基板进行规定处理的各种处理系统。通常，由于用抗蚀剂液形成的基板上的涂布膜非常忌讳被氧化，因此，将这些装置配置在简单的密闭腔室内，并在该腔室中进行规定处理。

具体而言，如下述专利文献1所示，涂布装置配置在腔室内，在腔室中设置有用于将惰性气体供给至腔室内的供给口和用于排放腔室内的氛围气体的排放口。另外，装置运行时，通过从供给口向腔室内供给惰性气体的同时从排放口排放，尽量减少腔室内的氧气浓度，由此向基板上排出抗蚀剂液而形成涂布膜。即，腔室的供给口和排放口的尺寸按照排放口的排放流量小于供给口的惰性气体供给流量的方式设置，当供给惰性气体时腔室内的氧气逐渐被新供给的惰性气体取代（惰性气体化）。另外，通过将腔室内的压力保持为稍微高的压力，防止大气中的氧气进入到腔室内。因此，腔室内的氧气浓度被控制为规定的氧气浓度以下，从而能够防止基板上形成的涂布膜被氧化。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2005-211734号公报

发明内容

但是，在上述基板处理系统中，存在无法将腔室内的氧气浓度抑制在规定的氧气浓度的问题。即，惰性气体的供给源是按每个工厂来设定，并共用于各种装置上。因此，在用供给口和排放口的尺寸来调整流量的上述基板处理系统中，当根据惰性气体的使用状况供给压力暂时下降时，从供给口供给的惰性气体的供给流量会比从排放口排放的排放流量小。结果，腔室内的压力低于大气压，因此大气中的氧气会容易进入，存在腔室内的氧气浓度上升的问题。

另外，供给源的压力非常充足时，要求在向腔室内供给惰性气体的初期运行中，通过增加惰性气体的供给流量来缩短腔室内的惰性气体化所需的时间。但是，如果增加惰性气体的供给流量，会存在如下的问题，即，由于排放口的排放流量几乎恒定而腔室内的压力会过度上升，存在惰性气体从腔室泄漏或者腔室自身会被破坏的忧虑。

本发明是鉴于上述问题而作出的发明，其目的在于提供一种基板处理系统，即使惰性气体的供给流量产生偏差，但仍然能够稳定地保持腔室内的压力，在初期运行时，能够通过增加惰性气体的供给流量来缩短惰性气体化所需的时间。

为了解决上述问题，本发明的基板处理系统包括：平台，放置基板；基板处理单元，对放置在所述平台的基板进行规定处理；腔室，将所述平台和基板处理单元覆盖成密封状态；气体供给部，向所述腔室内供给惰性气体；气体排放部，排放所述腔室内的气体；其特征在于，根据所述腔室内的压力，按照所述腔室内的压力达到比腔室外的压力大的腔室设定压力调节所述气体供给部的惰性气体的供给流量和所述气体排放部的排放流量。

根据上述基板处理系统，根据腔室内的压力来调节所述气体供给部的惰性气体的供给流量和所述气体排放部的排放流量，因此，能够将所述腔室内的压力稳定地保持在腔室设定压力。即，即使惰性气体的供给流量产生偏差，也可以通过根据其供给流量来调节排放流量，由此能够将腔室内的压力维持在腔室设定压力。因此，通过腔室内的压力高于腔室外的压力来能够抑制氧气从腔室外进入到腔室内，从而能够抑制腔室内的氧气浓度上升。另外，即使增加惰性气体的供给流量，也能够通过根据其供给流量增加排放流量来将腔室内的压力维持在腔室设定压力，因此，在初期运行时能够向腔室内供给大量的惰性气体。因此，通过大量地供给用于置换腔室内的氧气的惰性气体来能够缩短初期运行时被惰性气体化所需的时间。

另外，其构成还可以是，所述腔室设定压力中设定有上限压力值和下限压力值，并按照腔室内的压力被维持在上限压力值和下限压力值之间的方式调节所述气体供给部的惰性气体的供给流量和所述气体排放部的排放流量。

根据该构成，通过将上限压力值和下限压力值作为临界值设定来能够用更加简单的构成将腔室内的压力维持在腔室设定压力。

另外，其构成还可以是，包括：初期运行模式，通过使所述气体供给部的供给流量和所述气体排放部的排放流量均变大来使得腔室内的压力维持在腔室设定压力；通常运行模式，通过使所述气体供给部的供给流量和所述气体排放部的排放流量均变小来使得腔室内的压力维持在腔室设定压力；其中，初期运行模式在腔室内的氧气浓度达到设定值以下时被切换成通常运行模式。