[发明专利]一种制造发光器件的方法

权利要求书

1.一种制造发光器件的方法，包括：

提供包括III-氮化物半导体材料的发光层的晶片结构；

干蚀刻所述晶片以至少部分地穿过所述发光层从而留下所述发光层的暴露表面；以及

在至少100℃的温度，用硝酸处理所述发光层的所述暴露表面。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述发光层包括InGaN、GaN、AlGaN和GaN中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述发光层包括相邻的InGaN和GaN层或者相邻的AlGaN和GaN层。

4.根据任一前述权利要求所述的方法，其中所述温度为至少200℃。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述温度为至少250℃。

6.根据任一前述权利要求所述的方法，其中所述硝酸为至少50%的浓度。

7.根据任一前述权利要求所述的方法，其中所述表面被处理至少1分钟。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述表面被处理至少3分钟。

9.一种制造发光器件的方法，包括：

提供包括III-氮化物半导体材料的发光层的晶片结构；

干蚀刻所述晶片以至少部分地穿过所述发光层从而留下所述发光层的暴露表面；以及

用等离子体处理所述发光层的暴露表面。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述等离子体是氢等离子体。

11.根据权利要求9或10所述的方法，其中所述等离子体在从5至100mTorr的压力，优选地至少20mTorr，以及优选地不超过50mTorr。

12.根据权利要求9至11中任一项所述的方法，其中所述等离子体通过引入气体到腔室中并经由至少一个电极施加射频信号到该气体而产生。

13.一种制造发光器件的方法，包括：

提供包括III-氮化物半导体材料的发光层的晶片结构；

干蚀刻所述晶片从而留下具有暴露表面的多个柱；以及

进行表面改性步骤以改性所述暴露表面从而增强所述器件的光学性能。

14.根据权利要求14所述的方法，其中所述表面改性包括改变所述材料的表面区域的费米能。

15.根据权利要求13或14所述的方法，其中所述表面改性包括减少或消除所述材料的表面态。

16.根据权利要求14或15所述的方法，其中所述表面改性包括将所述表面区域中的费米能级朝向所述柱的主体中来改变。

17.一种制造发光器件的方法，该发光器件基本上如在此参照任意一个或多个附图所述的。