[发明专利]用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法

权利要求书

1.一种用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，所述第III族氮化物半导体发光器件具有与第一绝缘体接触并且在所述第一绝缘体上的反射膜，

其中所述反射膜具有通过形成Ag的第一层并且在所述第一层上形成具有至厚度的Al的第二层作为最上层而形成的至少两层结构；以及

其中在形成所述反射膜之后，在300℃至700℃的温度下进行热处理。

2.根据权利要求1所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中所述反射膜具有通过形成具有至厚度的Al的第三层并且在所述第三层上依次形成所述第一层和所述第二层而形成的三层结构。

3.根据权利要求1或2所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中进行热处理以与所述第III族氮化物半导体发光器件的电极形成欧姆接触。

4.根据权利要求1或2所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，

其中所述第III族氮化物半导体发光器件具有n型层、发光层、p型层以及将电流扩散至所述p型层的扩散电极；以及

其中在形成所述反射膜之前，形成分别与所述n型层和所述扩散电极接触的接触电极。

5.根据权利要求4所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中对在形成所述反射膜之后露出的所述反射膜的顶表面进行所述热处理，以在所述接触电极和所述n型层之间、在所述接触电极和所述扩散电极之间以及在所述扩散电极和所述p型层之间形成欧姆接触。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中形成与所述反射膜接触且在所述反射膜上的第二绝缘体，并且在形成所述第二绝缘体之后进行热处理。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中在所述反射膜上形成阻挡金属层以防止Ag扩散。

8.根据权利要求6所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，

其中所述第III族氮化物半导体发光器件是正装型，其中在所述第二绝缘体上以布线图案形成电极，并且从所述电极侧提取光；以及

其中在俯视图中面向所述电极的区域中形成所述反射膜。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，

其中所述第III族氮化物半导体发光器件是正装型，其中衬底是所述第一绝缘体，并且在所述第一绝缘体上形成器件结构，

其中在所述衬底的与其上形成有所述器件结构的表面相反的表面上形成所述反射膜。

10.根据权利要求1至7中任一项所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中所述第III族氮化物半导体发光器件是倒装芯片型，其中在衬底上形成器件结构，并且在所述器件结构上经由所述第一绝缘体形成所述反射膜。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中所述第III族氮化物半导体发光器件具有400nm或更大的峰值发射波长。