[发明专利]用于在穿孔中选择性沉积钨的系统和方法

权利要求书

1.一种处理基板的方法，其包括：

提供基板，该基板包括金属层、设置在该金属层上的介电层、以及形成在该介电层中的穿孔和沟槽中的至少一种；

在第一沉积周期内，使用化学气相沉积（CVD）沉积金属，其中该第一沉积周期要长于该金属沉积于该金属层之上所必须的第一核化周期；

在第二核化延迟周期前，停止该第一沉积周期，其中该第二核化周期为该金属沉积于该介电层之上所必须的；

执行该沉积步骤与该停止步骤N次，其中N是大于或等于1的整数；以及

在该执行步骤之后，在长于该第二核化延迟周期的第二沉积周期内，使用CVD来沉积该金属。

2.如权利要求1所述的方法，其中该金属包含钨。

3.如权利要求1所述的方法，其中该金属层包含钨。

4.如权利要求1所述的方法，其进一步包括在该第一沉积周期之前沉积核化层。

5.如权利要求4所述的方法，其中该核化层包含无氟钨层以及钨/氮化钨层中的一种。

6.如权利要求4所述的方法，其中该核化层具有介于2埃到30埃之间的厚度。

7.如权利要求1所述的方法，其进一步包括在该停止步骤后并在该N次中的另一次与该第二沉积周期两者中的至少一者之前，执行生长中断处理，从而中断该金属在该介电层上的生长。

8.如权利要求7所述的方法，其中该生长中断处理包含在浸泡周期内执行氨浸泡。

9.如权利要求7所述的方法，其中该生长中断处理包含在浸泡周期内执行氟浸泡。

10.如权利要求4所述的方法，其进一步包括在该第一沉积周期之前执行溅射蚀刻处理，从而去除在接头底部的该穿孔中的该核化层以将该金属层暴露出来。

11.一种处理基板的方法，其包括

提供基板，该基板包括金属层、设置于该金属层上的介电层、以及形成在该介电层中的穿孔和沟槽中的至少一种；

在第一沉积周期内，使用物理气相沉积（PVD）沉积金属；

在第二沉积周期内，使用化学气相沉积（CVD）沉积该金属，其中该第二沉积周期长于该金属沉积于该金属层上所必须的第一核化周期；

在第二核化延迟周期前，停止该第二沉积周期，其中该第二核化延迟周期为该金属沉积于该介电层之上所必须的；

执行该CVD沉积步骤以及该停止步骤N次，其中N是大于或等于1的整数；以及

在该执行步骤之后，在长于该第二核化延迟周期的第三沉积周期内，使用CVD沉积该金属。

12.如权利要求11所述的方法，其中该金属包含钨。

13.如权利要求11所述的方法，其中该金属层包含钨。

14.如权利要求11所述的方法，其进一步包括在该第一沉积周期之前沉积核化层。

15.如权利要求14所述的方法，其中该核化层包含无氟钨层以及钨/氮化钨层中的一种。

16.如权利要求14所述的方法，其中该核化层具有介于2埃到30埃之间的厚度。

17.如权利要求11所述的方法，其进一步包括在该停止步骤之后，并在该N次中的另一次和该第三沉积周期两者中的至少一者之前，执行生长中断处理，以中断该金属在该介电层上的生长。

18.如权利要求17所述的方法，其中该生长中断处理包含在浸泡周期内执行氨浸泡。

19.如权利要求17所述的方法，其中该生长中断处理包含在浸泡周期内执行氟浸泡。

20.如权利要求11所述的方法，其中该PVD包含定向PVD。

21.如权利要求11所述的方法，其中该PVD包含不定向PVD。

22.如权利要求21所述的方法，其进一步包括在该第二沉积周期以及该第三沉积周期之前，执行溅射蚀刻处理以从该穿孔的侧壁蚀刻该金属。

23.如权利要求21所述的方法，其进一步包括在该第二沉积周期以及该第三沉积周期之前，执行溅射蚀刻处理以从该基板的场域、该沟槽和该穿孔的侧壁蚀刻该金属。