[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201180046536.1 | 申请日： | 2011-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103155105A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 栗林秀直 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L21/322;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于：
在除去形成于半导体晶片的自然氧化膜后，在氮氛围中保管所述半导体晶片，
接着将含有重金属的二氧化硅源涂敷在所述半导体晶片的上表面或者下表面后使所述二氧化硅源固化，
接着对所述半导体晶片进行热处理。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：
在所述氮氛围中，氮以30升/分钟以上的速度流动。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：
将所述半导体晶片在所述氮氛围中保管的时间为10分钟以上。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：
在所述氮氛围中，氮以100升/分钟以上的速度流动，并且将所述半导体晶片在所述氮氛围中保管的时间为20分钟以上。
5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：
包含于所述二氧化硅源的重金属为铂或金。
6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：
包含于所述二氧化硅源的铂或金的含有浓度为0.1重量％～10重量％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
