[发明专利]用于从基片去除物质的包含至少一种单酰胺和/或至少一种二酰胺的聚合物或单体组合物及其使用方法

说明书

发明领域

本公开一般涉及从基片去除至少一种物质。具体地讲，本公开涉及使用一定范围组合物的方法，所述组合物可适用于从电子器件去除非晶形和热固性聚合物两者，电子器件包括但不限于半导体晶片、平板显示器(FPDs)和其它微电子基片。

技术背景

可在制造电子器件中使用不同的聚合物，包括例如光致抗蚀剂和有机电介质。例如，在光刻操作中，在整个半导体器件制造中使用例如光致抗蚀剂。可通过光掩模使光致抗蚀剂暴露于光化辐射。在使用正作用抗蚀剂时，曝光可致使在材料内发生化学反应，导致在碱水中溶解度增加，从而使其溶解，并用显影剂洗掉。在使用负作用抗蚀剂时，可在曝露的区域发生聚合物交联，而未曝露区域不变。可使未曝露的区域经过溶解作用，并用适合的显影剂化学物质清洗。在显影后，可留下抗蚀剂掩模。抗蚀剂掩模的设计和几何结构可取决于抗蚀剂的正性或负性色调，正性色调抗蚀剂可匹配光掩模的设计，而负性色调抗蚀剂可提供与光掩模设计相反的图案。使用光致抗蚀剂可能在执行下一个电路设计处理步骤之前需要几个清洗步骤，并最终清洗掩模。

有机电介质代表给予微电子电路绝缘性质使用的工程聚合物。这些化学物质的实例包括聚酰亚胺(PI)和聚(对亚苯基-2,6-苯并双噁唑)(PBO)，由Hitachi-DuPont Microsystems制造。用于电子应用的另一种示例性有机电介质为双苯并环丁烯(BCB)，由建在USA的Dow Chemical Company制造。这些聚合物可以类似方式作为光致抗蚀剂用常规旋涂、喷涂施加到基片上，或者可缝涂(可例如在制造FPDs中进行)。出于这些应用原因，有机电介质通常可称为旋涂电介质。一旦施加聚合物，有机电介质可经历图形化过程，但最终所有这些系统造成最终阶段固化，这可通过经历化学和物理性质变化使材料永久固定在适当位置。例如，最终材料可显示合乎电路性能需要的电性质和物理性质两种性质。一旦这些有机电介质完全固化，就认为它们为永久性，由此，重新加工的需要就需要使用侵蚀性材料，例如强酸或碱，侵蚀性材料可能会侵蚀基片或相邻的金属，或者更实际将重新加工条件认为在工业上不可行。

正性光致抗蚀剂可基于为前端半导体和平板显示器制造中高分辨器件处理选择的线型酚醛清漆或聚羟基苯乙烯(Phost)种类的树脂。正性色调系统代表全球生产的最大体积部分光致抗蚀剂，并且有很多供应商。用于半导体和FPD二者的这些系统的代表性供应商包括但不限于建在美国的AZ Electronic Materials、建在美国的Rohm and Haas Company和日本公司Tokyo Ohka Kogyo Co. Ltd。在正性光致抗蚀剂应用中，基片可通过等离子方法蚀刻，等离子方法可用惰性气体和化学种类例如产生离子化和反应性物质两者，离子化和反应性物质移动通过掩模，并向下蚀入基片。在蚀刻期间，离子化和反应性物质可与基片的原子化合成副产物，那种副产物通过等离子系统减压排出。这些相同的气体物质也可影响光致抗蚀剂掩模，例如，通过烘烤进入适当位置和使含碳的副产物进入等离子。光致抗蚀剂副产物可与等离子中的其它物质混合，并连续向下导向基片。这些材料可沿着蚀刻部分的侧壁凝结成残余物，产生另外也称为各向异性蚀刻的条件，由此高度控制物质，并以很小或无侧向损失导入基片。在完成时，可沿着抗蚀剂掩模去除此蚀刻残余物，以防止潜在有害地影响随后过程，和导致降低器件性能或器件破坏。然而，这些残余物和相关抗蚀剂掩模可能难以去除，一般包括使用配制的清除剂化学物质。