[发明专利]轧制铜箔

说明书

技术领域

本发明涉及适用于要求挠曲性的FPC的轧制铜箔。

背景技术

对用于挠曲用FPC（挠性印刷电路基板）的铜箔要求高挠曲性。作为用于赋予铜箔挠曲性的方法，已知有提高铜箔的（200）面的晶向的取向度的技术（专利文献1），使贯通铜箔的板厚方向的晶粒的比例增多的技术（专利文献2），铜箔的相当于油坑(oil pit)的深度的表面粗糙度Ry（最大高度）降低至2.0μm以下的技术（专利文献3）。

通常的FPC制造步骤如下所示。首先将铜箔与树脂膜接合。接合中，有通过对涂布于铜箔的清漆施加热处理来进行亚胺化的方法、将带有粘接剂的树脂膜和铜箔重叠进行层合的方法。将通过这些步骤接合的带有树脂膜的铜箔称为CCL（覆铜层叠板）。通过该CCL制造步骤中的热处理，铜箔进行再结晶。

但是，使用铜箔来制造FPC时，为了使与覆盖膜的密合性提高而蚀刻铜箔表面时，有时会在表面产生直径数10μm左右的凹陷（碟型下陷）。认为其原因在于，若再结晶退火后以立方体组织生长的方式将晶向控制为（200）面，则在均匀的组织中单独地存在不同晶向的晶粒。而且，蚀刻速度根据所蚀刻的结晶面而有所不同，因此，该单独晶粒比周围蚀刻得更深而形成凹陷。该凹陷成为使电路的蚀刻性降低，或在外观检查中判定为不良而使产率降低的原因。

作为降低这种凹陷的方法，报告有如下的技术：轧制前或轧制后在铜箔的表面进行机械研磨而赋予成为加工改质层的应变后，进行再结晶（专利文献4）。根据该技术，通过加工改质层而使再结晶后在表面突发不均匀的晶粒，则晶向不同的晶粒变得不会单独存在。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第3009383号公报

专利文献2：日本特开2006-117977号公报

专利文献3：日本特开2001-058203号公报

专利文献4：日本特开2009-280855号公报。

发明内容

发明要解决的技术问题

但是，专利文献4所记载的技术的情况，不均匀的晶粒多，铜箔表面的结晶不取向于（200）面，因此有挠曲性降低的问题。

另一方面，可判断为确保与制造铜箔时的辊的密合性，或使铜箔制品的操作变得容易，进行的是增大最终冷轧中的辊粗糙度以使铜箔表面变粗糙，但铜箔表面变粗糙时，铜箔表面的结晶的取向度降低，挠曲性变差，或者易发生碟型下陷。

即，本发明是为了解决上述技术问题而完成的发明，目的在于提供使铜箔表面适度地变粗糙，提高操作性，进而挠曲性优异，同时表面蚀刻特性良好的轧制铜箔。

用于解决技术问题的方法

本发明人等进行了各种研究，结果发现在最终冷轧的最终轧制道次之前不使铜箔的表面变得过于粗糙，而在最终冷轧的最终轧制道次使铜箔的表面变得粗糙，由此使最终的铜箔表面变得粗糙，同时使剪切变形带变少，使挠曲性提高，碟型下陷变少。

为了实现上述目的，本发明的轧制铜箔在轧制平行方向测定的表面的根据JIS-Z8741的60度光泽度G60_RD为100以上且300以下，在200℃加热30分钟调质为再结晶组织的状态下，由轧制面的X射线衍射求得的（200）面的强度（I）相对于由微粉铜的X射线衍射求得的（200）面的强度（I₀）为I／I₀≥50，在铜箔表面于轧制平行方向长度为175μm，且在轧制垂直方向分别相隔50μm以上的3根直线上，相当于油坑的最大深度的各直线的厚度方向的最大高度和最小高度之差的平均值d，和前述铜箔的厚度t的比率d/t为0.1以下，并且在轧制平行方向测定的表面的根据JIS-Z8741的60度光泽度G60_RD，和在轧制垂直方向测定的表面的根据JIS-Z8741的60度光泽度G60_TD的比率G60_RD /G60_TD小于0.8。

将上述200℃×30分钟热处理后的铜箔表面电解研磨后，利用EBSD观察时，自[100]取向的角度差为15度以上的晶粒的面积率优选20％以下。

将铸块热轧后，反复冷轧和退火，最后进行最终冷轧而制造，在该最终冷轧步骤中，在最终轧制道次的前一轧制道次的阶段，在轧制平行方向测定的表面的60度光泽度G60_RD优选大于300。

发明效果

根据本发明，可获得使铜箔表面适度地粗糙，提高操作性，进而挠曲性优异，并且表面蚀刻特性良好的轧制铜箔。