[发明专利]热处理的聚合物粉末

权利要求书

1.一种用于热处理聚合物组合物的方法，该聚合物组合物包含一种或多种半晶质或可结晶的多晶型聚合物，其中该方法包括至少以下步骤：在低于最高熔融晶型熔点且等于或高于其他一种或多种晶型熔点的温度下热处理该聚合物组合物一段时间，该时间将该聚合物组合物中最高熔融晶型相对于该一种或多种其他晶型的含量增加。 

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括将该热处理的聚合物组合物研磨成粉末，其中结晶度没有减少并且形成了具有重量平均颗粒尺寸在0.002nm与0.1米之间的颗粒。 

3.根据权利要求1所述的方法，其中该半晶质或可结晶的多晶型聚合物在该热处理之前是处于颗粒的形式，这些颗粒具有的重量平均颗粒尺寸在0.002nm与0.1米之间。 

4.根据权利要求1所述的方法，其中该聚合物组合物包含一种或多种聚芳醚酮或交替聚酮，或其混合物，只要该聚合物中的至少一种是多晶型的半晶质或可结晶的聚合物。 

5.根据权利要求1所述的方法，其中该半晶质或可结晶的多晶型聚合物包含聚醚酮酮。 

6.根据权利要求5所述的方法，其中该聚醚酮酮包括式I和式II表示的重复单元： 

-A-C(=O)-B-C(=O)-  I（异构体T） 

-A-C(=O)-D-C(=O)-  II（异构体I） 

其中，A是一个p,p’-Ph-O-Ph-基团，Ph是一个亚苯基，B是对-亚苯基，并且D是间-亚苯基，其中该T:I异构体的比率是在从50/50至90/10的范围内。 

7.根据权利要求1所述的方法，其中热处理的温度比该最高熔融晶型熔点低小于20°C。 

8.根据权利要求1所述的方法，其中热处理的温度比该最高熔融晶型熔点低小于10°C。 

9.根据权利要求1所述的方法，其中热处理的温度比该最高熔融晶型熔点低小于5°C。 

10.根据权利要求1所述的方法，其中该聚合物组合物进一步包括选自由一种或多种非多晶型聚合物、填料类和纤维类组成的组中的一种或多种其他组分。 

11.一种热处理的粉末组合物，由根据权利要求1所述的方法制成。 

12.一种方法，包括将权利要求11所述的热处理的粉末组合物转变成一种物品或在物品上的涂层。 

13.根据权利要求12所述的方法，其中用于转换该热处理的粉末组合物的该方法是选自选择性激光烧结、旋转模塑或粉末涂覆。 

14.一种用于热处理聚合物组合物的方法，该聚合物组合物包含具有至少两种晶型的一种或多种聚醚酮酮聚合物，其中该方法包括至少以下步骤：在低于最高熔融晶型熔点且位于或高于一种或多种其他晶型熔融范围的温度下热处理该聚合物组合物一段时间，该时间将该聚合物组合物中最高熔融晶型相对于该一种或多种其他晶型的含量增加。 

15.根据权利要求14所述的方法，其中该聚醚酮酮聚合物包括由式I和式II表示的重复单元： 

-A-C(=O)-B-C(=O)-  I（异构体T） 

-A-C(=O)-D-C(=O)-  II（异构体I） 

其中，A是一个p,p’-Ph-O-Ph-基团，Ph是一个亚苯基，B是对-亚苯基，并且D是间-亚苯基，其中该T:I异构体的比率是在从50/50至90/10的范围内。 

16.根据权利要求15所述的方法，其中该T:I异构体的比率是在从60/40至80/20的范围内。 

17.根据权利要求16所述的方法，其中热处理的温度比该最高熔融晶型熔点低小于20°C。 

18.根据权利要求16所述的方法，其中该所产生的热处理的聚合物组合物包含40%或更多的该最高熔融晶型，基于该聚醚酮酮聚合物中晶体的总数计。 

19.根据权利要求16所述的方法，其中该所产生的热处理的聚合物组合物包含90%或更多的该最高熔融晶型，基于该聚醚酮酮聚合物中晶体的总数计。