[发明专利]用于电路嵌入的复合堆叠材料无效

专利信息
申请号: 201180046689.6 申请日: 2011-10-21
公开(公告)号: CN103141163A 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: A·布鲁德雷尔;N·加尔斯特;J·克雷斯;M·普鲁伯斯特 申请(专利权)人: 安美特德国有限公司
主分类号: H05K3/00 分类号: H05K3/00;H05K3/10;H05K3/46
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 李跃龙
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 用于 电路 嵌入 复合 堆叠 材料
【权利要求书】:

1.一种嵌入电路的方法,所述方法包括这种顺序的以下步骤:

(i)提供具有1-200μm厚度的载体层(1),

(ii)用树脂涂覆载体层(1),由此形成1-150μm厚度的没有增强物的树脂层(2),

(iii)用树脂涂覆没有增强物的树脂层(2),

(iv)将增强物层叠在步骤(iii)涂覆的树脂中,由此形成1-200μm厚度的具有增强物的树脂层(3),和

(v)通过激光烧蚀技术在没有增强物的树脂层(2)内产生轨道(9)。

2.根据权利要求1的嵌入电路的方法,其中载体层(1)选自铜、铝、锡、纸、由选自以下的聚合物制成的聚合物箔片:聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺、聚醚醚酮(PEEK)、环烯烃共聚物(COC)、聚酰胺、聚四氟乙烯(PTFE)、氟化乙烯-丙烯(FEP)、乙烯-四氟乙烯(ETFE)、THV(四氟乙烯、六氟丙烯和偏二氟乙烯的共聚物)、聚氯三氟乙烯(PCTFE)、聚氟乙烯(PVF)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、全氟烷氧基聚合物(PFA)、MFA(四氟乙烯和全氟乙烯基醚的共聚物)、聚芳酯、ECTF乙烯-氯三氟乙烯(ECTFE)、聚醚砜(PES)、聚甲基戊烯(PMP)、聚醚酰亚胺、聚砜,和交联聚合物箔片例如X-HDPE。

3.根据前述权利要求任一项的嵌入电路的方法,其中载体层(1)选自铜箔、铝箔、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)箔片、环烯烃共聚物(COC)箔片和聚芳酯箔片。

4.根据前述权利要求任一项的嵌入电路的方法,其中用于没有增强物的树脂层(2)的树脂选自环氧树脂、氰酸酯树脂、双马来酰亚胺树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂、苯并噁嗪树脂,和它们的混合物。

5.根据前述权利要求任一项的嵌入电路的方法,其中具有增强物的树脂层(3)的树脂选自环氧树脂、氰酸酯树脂、双马来酰亚胺树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂、苯并噁嗪树脂,和它们的混合物。

6.根据前述权利要求任一项的嵌入电路的方法,其中具有增强物的树脂层(3)中的增强物(6)选自石英玻璃、包含第1族金属的金属氧化物的石英玻璃、包含第2族金属的金属氧化物的石英玻璃、包含第1族和第2族金属的金属氧化物的石英玻璃、E-玻璃、铝硅酸盐、氮化硅、氮化硼、硅灰石、陶瓷氧化物、芳族聚酰胺,和它们的混合物。

7.根据前述权利要求任一项的嵌入电路的方法,其中没有增强物的树脂层(2)由无溶剂的树脂粉末沉积在载体层(1)上。

8.根据权利要求7的嵌入电路的方法,其中无溶剂的树脂粉末通过选自电磁刷工艺、粉末分散工艺和直接熔体挤出工艺的方法沉积在载体层(1)上。

9.根据前述权利要求任一项的嵌入电路的方法,其中具有增强物的树脂层(3)由无溶剂的树脂粉末沉积在没有增强物的树脂层(2)上。

10.根据权利要求9的嵌入电路的方法,其中无溶剂沉积方法选自电磁刷工艺、粉末分散工艺和直接熔体挤出。

11.一种适合于嵌入电路的复合堆叠材料,所述复合堆叠材料具有以下顺序的层序列:

(i)具有1-200μm厚度的载体层(1),

(ii)1-150μm厚度的没有增强物的树脂层(2),和

(iii)1-200μm厚度的具有增强物的树脂层(3)。

12.根据权利要求11的复合堆叠材料,其中载体层(1)选自铜、铝、锡、纸、由选自以下的聚合物制成的聚合物箔片:聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺、聚醚醚酮(PEEK)、环烯烃共聚物(COC)、聚酰胺、聚四氟乙烯(PTFE)、氟化乙烯-丙烯(FEP)、乙烯-四氟乙烯(ETFE)、THV(四氟乙烯、六氟丙烯和偏二氟乙烯的共聚物)、聚氯三氟乙烯(PCTFE)、聚氟乙烯(PVF)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、全氟烷氧基聚合物(PFA)、MFA(四氟乙烯和全氟乙烯基醚的共聚物)、聚芳酯、ECTF乙烯-氯三氟乙烯(ECTFE)、聚醚砜(PES)、聚甲基戊烯(PMP)、聚醚酰亚胺、聚砜,和交联聚合物箔片例如X-HDPE。

13.根据权利要求11和12的复合堆叠材料,其中载体层(1)选自铜箔、铝箔、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)箔片、环烯烃共聚物(COC)箔片和聚芳酯箔片。

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