[发明专利]多晶硅制造装置以及多晶硅制造方法

权利要求书

1.一种多晶硅制造装置，通过锌来对四氯化硅进行还原而制造多晶硅，其特征在于包括：

反应器，所述反应器包含可上下地分离的反应器上侧本体与反应器下侧本体，锌气体供给配管与四氯化硅气体供给配管连接于所述反应器上侧本体的上部，在所述反应器上侧本体的下部或所述反应器下侧本体的上部设置有废气的排出口，所述废气包含反应所产生的氯化锌，所述反应器下侧本体设置为可沿着上下左右方向移动。

2.根据权利要求1所述的多晶硅制造装置，其特征在于，

在所述反应器下侧本体内设置有收纳容器，所述收纳容器收纳所述多晶硅。

3.根据权利要求1或2所述的多晶硅制造装置，其特征在于，

在所述反应器下侧本体设置有台车，所述台车的载置面可通过升降设备而沿着上下方向移动，通过包括所述升降设备的所述台车，所述反应器下侧本体设置为可沿着上下左右方向移动。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的多晶硅制造装置，其特征在于包括：

运送机构，所述运送机构能够以将所述收纳容器吊起的状态，沿着上下方向或水平方向来运送所述收纳容器。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的多晶硅制造装置，其特征在于，

多晶硅回收设备与所述反应器邻接地配置，所述多晶硅回收设备自所述收纳容器回收多晶硅。

6.一种多晶硅制造方法，其是使用如权利要求1-5中任一项所述的多晶硅制造装置来制造多晶硅的方法，其特征在于包括：

1）使用将所述反应器上侧本体与所述反应器下侧本体连接而构成的反应器，使四氯化硅气体与锌气体发生反应的步骤；

2）使所述反应所产生的硅成长体自所述四氯化硅气体供给喷嘴附近脱离的步骤；

3）使所述反应器下侧本体与所述反应器上侧本体分离且下降的步骤；

4）使所述反应器下侧本体仅水平地移动规定的距离的步骤；以及

5）自所述反应器下侧本体回收多晶硅的步骤。