[发明专利]配置成从中间波导抽头光信号的部分的光监视器

权利要求书

1.一种光学设备，包括：

基部上的波导，所述波导包括输入部、吸光部以及输出部，

     所述波导的所述输入部被配置成将光信号引导至所述波导的所述吸光部并且由光透光介质部分地限定，

     所述波导的所述吸光部被配置成吸收所述光信号的一部分，并且被配置成将所述光信号的透射部分引导至所述波导的所述输出部，而且所述波导的所述吸光部由不同于所述透光介质的吸光介质部分地限定，

     所述波导的所述输出部被配置成从所述波导的所述吸光部接收所述光信号的所述透射部分，并且被配置成引导所述光信号的所述透射部分远离所述波导的所述吸光部，而且所述波导的所述输出部由所述透光介质部分地限定；以及

监视器，其被定位于所述基部上并且被配置成监测所述光信号的被吸收部分的吸收。

2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述波导的所述吸光部具有被选择使得所述光信号的所述被吸收部分的功率小于所述光信号的所述功率的20%的长度，并且具有小于5 μm的长度。

3.根据权利要求1所述的设备，其中，所述波导的所述吸光部具有被选择使得所述光信号的所述被吸收部分的功率小于所述光信号的所述功率的5%的长度，并且具有小于1 μm的长度；以及。

4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述吸光介质包括限定所述波导的所述吸光部的一部分的顶面，

所述透光介质包括限定所述波导的所述输入部的一部分的顶面，以及

所述吸光介质的所述顶面比所述透光介质的所述顶面离所述基部更远。

5.根据权利要求1所述的设备，其中，所述透光介质是硅而所述吸光介质是由Si_1-xGe_x表示的锗-硅，其中x大于零。

6.根据权利要求1所述的设备，其中，x是在0.005与1之间。

7.根据权利要求1所述的设备，其中，所述吸光介质具有每个在顶面与底面之间延伸的横向侧面，所述底面是在所述基部与所述顶面之间，

     所述监视器包括每个被配置成用作所述吸光介质中的电场的源的场源，

     所述场源每个都接触所述横向侧面中的一个，并且被所述场源所接触的所述横向侧面在所述吸光介质的相对侧面上。

8.根据权利要求7所述的设备，其中，被所述场源中的一个所接触的所述横向侧面中的每一个都与所述基部垂直。

9.根据权利要求7所述的设备，其中，所述透光介质和所述吸光介质在界面处彼此接触，所述界面被配置为使得所述光信号穿过所述界面而行进，所述界面相对于所述光信号在所述界面处通过所述波导的传播的方向成非垂直角度。

10.根据权利要求9所述的设备，其中，所述角度是在80°与89°之间。

11.根据权利要求7所述的设备，其中，所述场源每个都是所述吸光介质的掺杂区。

12.根据权利要求7所述的设备，其中，所述场源每个都是金属。

13.根据权利要求7所述的设备，其中，所述透光介质的种子部被定位于所述吸光介质与所述基部之间，

所述吸光介质接触所述透光介质的所述种子部，以及

每个场源被定位使得在所述场源中包括的所述金属的最低部分在所述透光介质的所述种子部之上。

14.根据权利要求7所述的设备，其中，所述场源中的每一个都横跨被所述场源所接触的所述横向侧面的顶部与被所述场源所接触的所述横向侧面的底部之间的距离。

15.根据权利要求7所述的设备，其中，所述场源中的每一个都从被所述场源所接触的所述横向侧面的顶部朝所述基部延伸。

16.根据权利要求7所述的设备，其中，所述场源中的每一个都从在被所述场源所接触的所述横向侧面的顶部与被所述场源所接触的所述横向侧面的底部之间的距离的90%之上的位置朝所述基部延伸。

17.根据权利要求7所述的设备，其中，所述监视器包括从定位于所述脊的相对侧面上的平板区延伸的脊，并且所述吸光介质被包括在所述脊中以及同样地被包括在所述平板区中。

18.根据权利要求17所述的设备，其中，所述掺杂区被定位于所述脊的相对侧面上。